[发明专利]间接加热式阴极离子源及伯纳斯离子源有效
| 申请号： | 201780040167.2 | 申请日： | 2017-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN109417006B | 公开（公告）日： | 2021-01-19 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·R·泰格尔;可劳斯·贝克;丹尼尔·艾凡瑞朵 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J27/02 | 分类号： | H01J27/02;H01J27/08 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种具有改善的寿命的间接加热式阴极离子源及伯纳斯离子源。在某些实施例中，所述离子源是间接加热式阴极离子源，所述间接加热式阴极离子源包括腔室，所述腔室具有多个导电壁，所述间接加热式阴极离子源具有阴极，所述阴极电连接到所述离子源的壁。在所述离子源的一个或多个壁上设置有电极。电极中的至少一个被相对于腔室的壁施加偏压。在某些实施例中，被吸引到阴极的正离子较少，从而减少阴极经历的溅射量。有利的是，使用这种技术会改善阴极的寿命。在另一实施例中，离子源包括伯纳斯离子源，所述伯纳斯离子源包括具有细丝的腔室，所述细丝的一个引线连接到离子源的壁。 | ||
| 搜索关键词： | 间接 加热 阴极 离子源 伯纳斯 | ||
【主权项】：
1.一种间接加热式阴极离子源，其特征在于，包括：腔室，包括多个导电壁，所述腔室中被引入气体；阴极，设置在所述腔室的一端上；细丝，设置在所述阴极后面；磁场，穿过所述腔室；顶壁，具有提取开孔；以及电极，在所述腔室中沿所述腔室的壁设置；其中相对于所述腔室对所述电极施加电压，且所述阴极电连接到所述腔室。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司，未经瓦里安半导体设备公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201780040167.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 一种激光负离子源及负离子束流获取方法-202310753140.5
- 何明;李康宁;包轶文;游曲波;赵庆章;张文慧 - 中国原子能科学研究院
- 2023-06-25 - 2023-10-27 - H01J27/02
- 本发明属于离子源技术领域，具体涉及一种激光负离子源及负离子束流获取方法，其中的激光负离子源包括用于放置样品(4)的样品架(3)和用于对样品(4)进行轰击进而产生等离子体(16)的激光器(1)，还包括电荷交换管(8)，电荷交换管(8)用于将等离子体(16)中引出的正离子(17)进行电荷交换获得负离子(18)。本发明利用激光的强电离特性和电荷交换的物理原理，提高负离子源的电离效率。激光(15)的光束可聚焦到微米量级，通过调节光束的位置可实现样品(4)不同位置不同核素含量的测定，满足特殊样品的分析需要。不需制样，满足了样品的快速测定；同时，避免了传统铯溅射源引入的杂质干扰，满足超纯材料的分析。
- 提取栅格-202180087128.4
- 霍尔格·雷乌斯;丹尼尔·雷平;德克·穆勒;刘西蒙;H·哈格多恩 - 布勒阿尔策瑙股份有限公司
- 2021-11-19 - 2023-09-29 - H01J27/02
- 本公开提供了一种用于从等离子体中提取离子和/或电子的装置，该装置具有栅格(1)和栅格支架(2)，该栅格(1)紧固在该栅格支架的圆周上。根据本发明，该栅格(1)被构造成膨胀金属栅格。此外，本发明还提供一种等离子体源、一种等离子体镀膜装置，以及一种用于制作干涉层或干涉层系统的方法。
- 阴极支承件及离子源-202211453722.3
- 平井裕也;岩波悠太;糸井骏;足立昌和 - 日新离子机器株式会社
- 2022-11-21 - 2023-09-05 - H01J27/02
- 本发明提供一种阴极支承件及离子源，改善进行灯丝与阴极之间的间隔调整时的作业性。阴极支承件具备：筒状或棒状的阴极支架(1)，在一端支承阴极(6)，在另一端具有凸缘部(2)；及夹持件(3、4、5)，支承阴极支架(1、61)，夹持件(3、4、5)在阴极支架(1、61)的轴向上具有第一调整面(31、41、51)和第二调整面(32、42、52)，通过使阴极支架(1、61)绕阴极支架(1、61)的轴旋转且在阴极支架(1、61)的轴向上移动，能够实现凸缘部(2)从第一调整面(31、41、51)向第二调整面(32、42、52)的配置。
- 一种平面轰击离子源-202320060141.7
- 刘宸佳;李晓刚 - 江苏索腾真空科技有限公司
- 2023-01-10 - 2023-08-22 - H01J27/02
- 本实用新型公开了一种平面轰击离子源，涉及离子源技术领域。本实用新型包括固定罩、放电板和电极，固定罩包括底板，底板一表面边缘处固定有罩边，罩边两侧面均固定有工艺气管，放电板通过若干紧固件固定在底板上并位于罩边内部，放电板一端底部开设有嵌入口，底板一端开设有与嵌入口同心的开口，电极贯穿开口并嵌入设置在嵌入口内并与嵌入口内壁贴合，电极固定在底板上。本实用新型通过设计新型的平面离子源结构，结构简单、利于生产和组装且防护效果较好，同时放电板一表面暴露在外，由一个电极发电并由放电板放电，电极位置设置在底板底部，使离子源各个部件利于拆卸和安装，利于检修维护，同时稳定性较高。
- 一种碳纳米管阴极离子源装置及中子管-202111605139.5
- 岳爱忠;刘炯;李兵 - 中国石油天然气集团有限公司;中国石油集团测井有限公司
- 2021-12-24 - 2023-06-27 - H01J27/02
- 本发明公开了一种碳纳米管阴极离子源装置及中子管，碳纳米管阴极组件设置在支柱的一端，碳纳米管阴极组件远离支柱的一端设置有若干个凸点；第一绝缘体套装在碳纳米管阴极组件的外侧，栅极筒套装在第一绝缘体的外侧，栅极筒靠近碳纳米管阴极组件的端面上开设有与凸点对应的通孔；第二绝缘体套装在栅极筒的外侧，固定组件套装在支柱的外侧，固定组件的一端与阴极、第一绝缘体、栅极筒和第二绝缘体的一端相抵，阳极筒套装在第二绝缘体和固定组件的外侧。本发明离子源结构紧凑并提高了除气温度，能获得较大的离子流输出，既克服了磁材料结构件带来的结构复杂、材料除气温度低的缺点，又提高了离子源输出离子流，增强了离子源工作的稳定性。
- 一种储存式离子源-202011478875.4
- 张虎忠;李得天;成永军;习振华;裴晓强;董猛;侯颖杰;魏建平;范栋;陈会颖;郭睿 - 兰州空间技术物理研究所
- 2020-12-14 - 2023-06-06 - H01J27/02
- 本申请涉及真空电子学技术领域，具体而言，涉及一种储存式离子源，包括阴极、电子聚焦系统、电离室以及电子收集极，其中：电子聚焦系统设置在阴极的上方，阴极产生的电子通过电子聚焦系统形成电子束流；电离室设置在电子聚焦系统与电子收集极之间，电离室的两侧设置有栅网，电离室与栅网之间形成均匀电场；电子束流通过均匀电场电离后，被电子收集极接收。本申请利用电子的空间电荷效应囚禁储存离子，使得离子的初始状态具有良好一致性，在引出离子源时，离子束的稳定性和均匀性得到很大提升。
- 间接加热式阴极离子源-202011561805.5
- 丹尼尔·R·泰格尔;可劳斯·贝克;丹尼尔·艾凡瑞朵 - 瓦里安半导体设备公司
- 2017-05-23 - 2023-05-12 - H01J27/02
- 本发明公开一种具有改善的寿命的间接加热式阴极离子源及伯纳斯离子源。在某些实施例中，所述离子源是间接加热式阴极离子源，所述间接加热式阴极离子源包括腔室，所述腔室具有多个导电壁，所述间接加热式阴极离子源具有阴极，所述阴极电连接到所述离子源的壁。在所述离子源的一个或多个壁上设置有电极。电极中的至少一个被相对于腔室的壁施加偏压。在某些实施例中，被吸引到阴极的正离子较少，从而减少阴极经历的溅射量。有利的是，使用这种技术会改善阴极的寿命。在另一实施例中，离子源包括伯纳斯离子源，所述伯纳斯离子源包括具有细丝的腔室，所述细丝的一个引线连接到离子源的壁。
- 用于广角度离子束的可调谐提取组合件-202180039901.X
- 杰伊·R·沃利斯;科斯特尔·拜洛;凯文·M·丹尼尔斯 - 应用材料股份有限公司
- 2021-06-09 - 2023-04-04 - H01J27/02
- 本发明提供一种离子束处理系统，包含：等离子腔室；等离子板，安置在等离子腔室旁边，等离子板界定第一提取孔；射束阻断器，安置在等离子腔室内且面向提取孔；阻断器电极，安置在等离子腔室外部的射束阻断器的表面上；以及提取电极，安置在等离子腔室外部的等离子板的表面上。
- 使用多脉冲等离子体源连续供应负离子的系统和方法-201880074595.1
- 许诚烈 - 韩国原子力研究院
- 2018-10-24 - 2023-03-28 - H01J27/02
- 本公开涉及一种使用多脉冲等离子体源连续供应负离子的系统和方法。该系统包括：多个等离子体发生器，每个等离子体发生器用于通过将脉冲功率施加到来自气体源的负电性气体来产生等离子体；负离子供应单元，连接至等离子体发生器，以接收从其中传递的等离子体并连续供应离子；以及控制器，连接至多个等离子体发生器，并被配置成用于控制递送到各个等离子体发生器的脉冲功率的特性，以及用于调节与脉冲功率包络相关联的相移。通过调节相移，当等离子体发生器中的一个等离子体发生器中的等离子体处于活动辉光状态时，控制器使另一个等离子体能够处于后辉光状态。为了实现这一点，多个等离子体发生器根据相移以交替的方式生成等离子体。因此，从在后辉光状态下的一个等离子体发生器供应到负离子供应单元的负离子的附加供应可以补偿从在活动辉光状态下的另一个等离子体发生器到负离子供应单元的负离子供应的减少的量，导致连续供应负离子，同时使负离子供应单元中的负离子密度随时间保持恒定。
- 一种离子源弧室绝缘座-202222934599.9
- 张强 - 吉林市汇恒电子科技有限公司
- 2022-11-04 - 2023-03-24 - H01J27/02
- 本实用新型涉及离子源弧室绝缘座技术领域，且公开了一种离子源弧室绝缘座，包括弧室，弧室的顶部开设有与弧室内部相连通的安装孔，安装孔的内部固定安装有限位环，限位环为圆环形结构，限位环的顶部放置有第一绝缘座，第一绝缘座为圆环形结构，第一绝缘座位于安装孔的内部，第一绝缘座的内部设置有灯丝杆，本实用新型中，将更换后的第一绝缘座和第二绝缘座与灯丝杆安装好重新放入安装孔的内部，再将两个安装块重新放入两个凹槽的内部，使两个弧形块分别与更换后的第一绝缘座顶部紧密相贴，同时转动两个螺栓，使两个螺栓分别与对应螺纹孔和螺纹槽重新螺纹连接，完后对第一绝缘座和第二绝缘座的更换，避免难以更换损坏的绝缘座对离子源运行产生影响。
- 一种改进型离子源钛盖-202222425636.3
- 徐均琪;张威 - 江苏奥普钛克光电科技有限公司
- 2022-09-13 - 2023-03-07 - H01J27/02
- 本实用新型提供一种改进型离子源钛盖，包括钛盖本体，钛盖本体上的圆筒部外侧设置有强化圆筒部，钛盖本体及强化圆筒部均为氮化硼材质制成的陶瓷。本实用新型在钛盖本体上的圆筒部外侧设置有强化圆筒部，可进一步的隔离吸附离子源工作时产生的电子；且同时，钛盖本体及强化圆筒部均为氮化硼材质制成的陶瓷，此材质属于绝缘体不会有电子吸附表面，这样大大减少了因放电导致的产品报废。
- 离子源组件-202211271320.1
- 陈根;徐佳园;张鑫;丁开忠;尉传颂;陈永华 - 合肥中科离子医学技术装备有限公司
- 2022-10-18 - 2023-02-28 - H01J27/02
- 本发明公开了一种离子源组件，离子源组件包括：主机，主机的输出端设有内杆组件，内杆组件设有第一通道、第二通道和第一电连接端，第一通道用于输出气流，第二通道用于输出冷却液；头部组件，头部组件与内杆组件可拆卸配合，头部组件设有第一输出通道、第二输出通道和第二电连接端，第一输出通道和第一通道插接配合，第二通道和第二输出通道插接配合，第一电连接端和第二电连接端电连接。本发明通过设置可拆卸的内杆组件与头部组件，方便对头部组件进行拆卸，同时设置插接配合的第一输出通道与第一通道、第二输出通道与第二通道用于向头部组件输入气流与冷却液，提高密封性，且容易组装与分离，方便对离子源组件的定期维护。
- 离子源辅助安装工具-202222174866.7
- 欧阳港荣;汪东 - 广州粤芯半导体技术有限公司
- 2022-08-18 - 2023-01-31 - H01J27/02
- 本实用新型涉及一种离子源辅助安装工具，离子源辅助安装工具包括灯丝定位件和安装部，灯丝定位件与安装部连接，并凸出于安装部；安装部具有第一定位结构，第一定位结构用于与离子源的第二定位结构配合，用于限定离子源的支撑部的位置；灯丝定位件被配置为，当调整离子源的灯丝夹具与离子源的阴极电机夹具的相对位置时，灯丝定位件用于与灯丝夹具开设的凹槽相对，以定位灯丝夹具的位置。上述离子源辅助安装工具在辅助离子源安装灯丝时，保证了灯丝与阴极电极的开口的侧壁之间的距离符合使用需求，避免灯丝与阴极电极的开口的侧壁间距过小导致灯丝报废，或灯丝与阴极电极的开口的侧壁间距过大，无法满足使用需求的情况发生。
- 控制离子束的装置与方法-201880080151.9
- 史费特那·瑞都凡诺;安娜·萨莫洛夫;常胜武;法兰克·辛克莱;彼德·凯勒曼 - 瓦里安半导体设备公司
- 2018-12-12 - 2023-01-03 - H01J27/02
- 一种控制离子束的装置与方法。所述装置可包括电极总成，所述电极总成包括被排列成多个电极对的多个电极，所述多个电极对被排列成通过其传导离子束。给定电极对沿描述标称中央射线轨迹的圆弧的半径放置，其中第一电极对的半径以及相邻电极对的半径界定角距。所述多个电极对可界定多个角距，其中在第一配置中，所述多个角距并非全部相等。所述装置还可包括与EM连通的电源供应器，所述电源供应器被配置成向所述多个电极独立地供应电压。
- 负离子生成装置及负离子生成方法-202080090711.6
- 北见尚久;前原诚;木下公男 - 住友重机械工业株式会社
- 2020-12-23 - 2022-08-12 - H01J27/02
- 本发明的负离子生成装置是生成负离子并照射到对象物的负离子生成装置，其具备：腔室，在内部进行负离子的生成；负离子生成部，通过在腔室内生成等离子体来生成负离子；以及电压施加部，能够对对象物施加偏压，电压施加部具有能够施加高频的电压信号的电源。
- 高折射率材料的H
- 尼哈尔·兰詹·莫汉蒂 - 元平台技术有限公司
- 2018-10-30 - 2022-08-05 - H01J27/02
- 本申请涉及高折射率材料的H2辅助的倾斜蚀刻。公开了用于制造倾斜结构的技术。在一个实施例中，一种在材料层中制造倾斜结构的方法包括：将第一反应性气体注入到反应性离子源发生器中，在反应性离子源发生器中生成包括反应性离子的等离子体，从等离子体中提取至少一些反应性离子以形成朝向材料层的准直的反应性离子束，以及将第二反应性气体注入到材料层上。准直的反应性离子束和第二反应性气体物理地和化学地蚀刻材料层，以形成倾斜的表面浮雕结构。在一些实施例中，第一反应性气体包括低分子量气体(例如，H
- 用于改善固态掺杂材料的稳定性以及性能的可插式靶支持器-202080077057.5
- 格拉汉·莱特;丹尼尔·艾凡瑞朵;沙颜士·P·佩特尔;丹尼尔·R·泰格尔 - 应用材料股份有限公司
- 2020-10-22 - 2022-06-17 - H01J27/02
- 本发明公开一种具有可插式靶支持器的离子源，可插式靶支持器用于容放固态掺杂材料。可插式靶支持器包括中空内部，固态掺杂材料设置到中空内部中。靶支持器在第一端处具有多孔表面，来自固态掺杂材料的蒸气可穿过多孔表面进入电弧室。多孔表面阻止液体或熔融的掺杂材料传递到电弧室中。靶支持器也被构造成使得当中空内部内的掺杂材料已被消耗时可为靶支持器重新填充掺杂材料。多孔表面可为穿孔坩埚的一部分、穿孔固持盖帽的一部分或多孔插入件。
- 一种霍尔离子源-202122944217.6
- 吴付豪 - 苏州中磐激光科技有限公司
- 2021-11-26 - 2022-05-24 - H01J27/02
- 本实用新型提供了一种霍尔离子源，包括霍尔离子源本体，霍尔离子源本体外部套接有冷却套，冷却套与霍尔离子源本体之间相贴有呈环绕布置的蛇形盘管，蛇形盘管首末两端均延伸出冷却套上方，蛇形盘管首末两端分别相接有进水管和出水管。有益效果：通过进水管输入冷水至蛇形盘管，冷水在蛇形盘管内部流动的时候，可以吸收霍尔离子源本体表面散出的热量，同时进风管输入冷风进入螺旋管道，这样冷风起到冷却套表面降温的同时，还可以输入环形管道内部，并使冷风从喷气管喷向霍尔离子源本体表面，以此来起到霍尔离子源本体表面的冷却降温作用，以解决现有的霍尔离子源表面热量只是直接散发在空气中，缺少冷却结构的问题。
- 一种窄能谱离子束产生装置-202122914304.7
- 苏俊宏;李建超;杨利红;徐均琪;万文博;时凯 - 西安工业大学
- 2021-11-25 - 2022-05-03 - H01J27/02
- 本实用新型涉及一种窄能谱离子束产生装置。该窄能谱离子束产生装置由支架、离子源以及选能器组成，所述离子源可调整竖直方向角度地架设于支架上，在支架上部固定设置有选能器，所述选能器由电磁屏蔽罩和内部固定设置的选能组件构成，所述选能组件由两块永磁铁阵列、矩形磁靴、一对永磁隔绝板和电极组件组成。本窄能谱离子束产生装置由离子源产生宽能谱离子，离子束经选能器进行离子能量选择并最终输出，达到本装置输出的离子能量为0‑500eV可调；最小能带宽在50eV以内。
- 隔热斥拒极以及电极-202080061716.6
- 亚当·M·麦劳克林;奎格·R·钱尼;乔丹·B·泰伊 - 应用材料股份有限公司
- 2020-08-17 - 2022-04-19 - H01J27/02
- 公开一种具有隔热斥拒极的离子源。斥拒极包括斥拒极盘及多个轮辐，所述多个轮辐起始于斥拒极盘的后表面且终止于柱。在某些实施例中，柱在其长度的至少一部分上可为中空的。使用轮辐而非中心杆可减少从斥拒极盘到柱的热传导。通过并入中空柱，热传导被进一步降低。此种配置可将斥拒极盘的温度增加多于100℃。在某些实施例中，在斥拒极盘的后表面上设置有辐射屏蔽体，以减少从斥拒极盘的侧面发射的辐射量。此也可有助于增加斥拒极的温度。类似的设计可用于离子源中的其他电极。
- 一种聚焦型线性阳极层离子源-201911066338.6
- 陈伟;高生;何国军 - 无锡诚承电子科技有限公司
- 2019-11-04 - 2022-03-18 - H01J27/02
- 本发明属于离子源技术领域，具体涉及一种聚焦型线性阳极层离子源，包括一具有长条状安装槽的壳体，所述安装槽的槽腔中心处设有一竖向布置的磁体，所述磁体与安装槽的槽壁之间设有阳极，所述安装槽的槽口中心处设有内阴极，所述内阴极的两侧对称布置有外阴极，所述外阴极与内阴极的磁极靴之间形成阴极缝隙，且该内阴极的最低面低于外阴极的最低面2‑5mm；通过将内阴极的最低面设置成低于外阴极的最低面，内外阴极高度差所形成的磁场法线，控制喷射角度，形成聚焦效应可以显著的提高单位面积上的等离子体的数量，使得相同的功率下，该线性阳极层离子源能达到更较好的表面处理效果，或表面刻蚀，或薄膜表面辅助沉积的效果。
- 增强离子电流的发射极结构-202110870227.1
- 赖韦侨;林君岳;黄英硕;张维哲;萧静瑜;游宇丰;杨宗宇 - 埃尔思科技股份有限公司
- 2021-07-30 - 2022-03-01 - H01J27/02
- 本发明揭示了一种增强离子电流的发射极结构，包含一针尖部及一针柄部。针尖部形成于增强离子电流的发射极结构的前端，具有针尖点、第一直径以及曲率半径。针柄部形成于增强离子电流的发射极结构前端的针尖部之后，其中针柄部连同针尖部的长度由针尖部的针尖点至针柄部的第一端点位置计算，针尖点至第一端点位置的第一距离为300倍的该第一直径，针尖部的曲率半径介于50奈米至5微米之间，第一直径为2倍该曲率半径。
- 一种产生掺杂碱金属或卤素的耦合气体团簇离子束的装置和方法-202110866354.4
- 亚历山大·托斯托古佐夫;付德君;吐沙姑·阿不都吾甫;瓦西里·帕里诺维奇;张翔宇;左文彬 - 宜昌后皇真空科技有限公司
- 2021-07-29 - 2021-11-12 - H01J27/02
- 本发明设计了一种可产生掺杂性单电荷态碱金属正离子或卤素负离子的耦合气体团簇离子束的装置，并提出了用于产生该团簇离子束的方法。本发明旨在通过一个表面电离离子源所产生的低能单电荷态碱金属正离子或卤素负离子来掺杂产生耦合气体团簇离子束，以此提高装置的工作效率。在反应过程中用单原子离子代替分子离子或络合离子，避免了掺杂性离子在掺杂过程中的碎裂现象。本发明通过由大量气体原子(例如Ar)组成的中性气体团簇束流来捕获低能量的单电荷态碱金属正离子或卤素负离子，从而形成耦合气体团簇离子束。
- 一种非直接接触的阳极水冷结构-202120140675.1
- 周柯;肖映都 - 东莞高田光学科技有限公司
- 2021-01-19 - 2021-08-10 - H01J27/02
- 本实用新型公开一种非直接接触的阳极水冷结构，包括一结构主体，所述结构主体由阳极本体、绝缘导热片、铜导热板、循环水室及底座由上自下依次连接组成，所述绝缘导热片及铜导热板均为圆盘状；设置循环水室冷却水先冷铜导热板，再用绝缘导热片将铜导热板和发热量较大的阳极本体连接；这种间接的冷却方式，使得用户在保养维护阳极本体时不会造成漏水现象，因此缩短了维护周期，且维持了真空室洁净度。
- 用于离子源的四极管提取设备-201980080219.8
- 威廉·普拉托维;爱德华·艾伊斯勒;伯·范德伯格;奈尔·巴森;迈克尔·克里斯托弗罗;约书亚·阿贝绍斯 - 艾克塞利斯科技公司
- 2019-11-13 - 2021-07-23 - H01J27/02
- 一种用于离子源的电极系统，其具有在离子源腔室中限定源孔径的源电极，并且耦接至源电源。第一接地电极限定第一接地孔径，该第一接地孔径电性耦接至电接地电位且从离子源提取离子。抑制电极定位于第一接地电极的下游并且限定电性耦接至抑制电源的抑制孔径。第二接地电极定位于抑制电极的下游并且限定第二接地孔径。第一接地电极和第二接地电极固定地彼此耦接并且电性耦接至电接地电位。
- 离子源的电源装置及离子源设备-202120147993.0
- 冀鸣;刘伟基;赵刚;易洪波;刘运鸿 - 中山市博顿光电科技有限公司;佛山市博顿光电科技有限公司
- 2021-01-19 - 2021-07-20 - H01J27/02
- 本申请涉及一种离子源的电源装置及离子源设备，所示电源装置包括：连接阳极的阳极电源，以及连接气体分配片的气体分配片电源；所述阳极电源向阳极提供直流电压；所述气体分配片电源在阳极电源工作时向所述气体分配片提供额外的调节电压，用于调节所述阳极在气体分配片上产生的感应电压。该技术方案，可以避免气体分配片的感应电压过高或过低对气体分配片产生的影响，对气体分配片起到了有效的保护作用。
- 一种高效制冷的多极杆冷阱系统-202010927012.4
- 刘博通;杨岩;王鹏昭;唐鹏;杨帆;赵启旭;蒋延荣;孙海涛;张诗按;孙真荣 - 华东师范大学
- 2020-09-07 - 2021-06-25 - H01J27/02
- 本发明公开了一种高效制冷的多极杆冷阱系统，包括八极杆离子阱、离子聚焦透镜组及二十二极杆离子阱。本发明采用八极杆圆柱体空间内剧烈变化的射频电场驱使较热的离子在场内运动，进而迅速与缓冲气体发生碰撞过程，实现离子单次飞行八极杆从300K降温到40K的设计目标；采用二十二极杆构造的射频势阱对预冷的离子进行聚集与约束，加上轴向梯度电极的约束，使得预冷的离子与缓冲气体发生充分地碰撞直至温度冷却到达到设定的温度4.2K左右。两级制冷提高了离子的冷却效率，降低了离子的冷却时间，实现了高重复频率、高效制备低温离子的目的。
- 一种高压离子源电源-202022157847.4
- 吴晓军 - 深圳市英能电气有限公司
- 2020-09-27 - 2021-05-11 - H01J27/02
- 本实用新型公开了一种高压离子源电源，包含箱体组件、导线管、封盖组件、内电源组件，所述箱体组件的一侧外壁穿插有导线管，且箱体组件的上表面配合有封盖组件，所述箱体组件内远离导线管的一侧设有内电源组件，所述箱体组件中靠近内电源组件的一侧设有具有自我保护结构的控制组件，本实用新型在高压离子源电源中加装内部电源，以驱动电机运转防护组件，防护组件中设有转动翻转结构，可以将二极管接入电路的方向调换，利用二极管单向连通的特性，将主电路彻底阻断，形成有效的控制和保护，减小在开关离子源电源时产生电弧、静电放电现象的几率，使得高压离子源电源具有足够的内部防护性能。
- 一种利用热阴极产生中和电子的射频离子赋能装置-202022499376.5
- 陈晓东 - 常州鑫立离子技术有限公司
- 2020-11-02 - 2021-04-20 - H01J27/02
- 本实用新型公开了一种利用热阴极产生中和电子的射频离子赋能装置，包括栅极系统、气体隔离器、放电室、金属外壳、交流电源、偏置电源和阴极灯丝，放电室的外侧安装有第一线圈，放电室的一侧底部安装有气体隔离器，放电室的底部安装有第二线圈，第一线圈和第二线圈可根据不同设计情况进行调整，放电室的外侧安装有金属外壳，第二电源通过导线将正电压加载在第一栅极上，第一电源通过导线将负电压加载在第二栅极上，偏置电源将负电压加载在阴极灯丝，通过交流电源供电加热灯丝。该装置可以快速的获得本初启辉电子和中和电子流，提高设备的生产效率；并且可以以比较低的设备成本达到相同性能的离子束输出。
- 用于离子注入系统的具有唇缘的离子源内衬-201680059372.9
- 尼尔·K·科尔文;哲-简·谢 - 艾克塞利斯科技公司
- 2016-11-04 - 2021-04-09 - H01J27/02
- 本发明公开一种离子源内衬(204)，包括具有暴露表面的衬板。所述衬板包括通孔以及环绕该通孔且自暴露表面向外延伸的唇缘(234)并且可选地包括凹部，该凹部具有自暴露表面凹陷且环绕通孔的第二表面。本发明进一步公开一种电弧腔室(202)，包括：所述离子源内衬以及具有轴部(218)和头部(250)的电极(208)，例如推斥极(248)，其中，该电极穿过所述通孔并界定衬板与轴部之间的环状间隙；以及离子源，该离子源包括电弧腔室，其中，该电弧腔室具有主体，该主体界定内部区域(212)，其中所述暴露表面暴露于所述电弧腔室内生成的电浆，以及其中，电极与主体电性隔离。唇缘(234)大体上防止微粒污染物(248’)进入环状间隙(206)。
- 专利分类
