[发明专利]一种二维材料的缺陷识别方法以及一种基于二维材料的器件的制备方法在审

申请号：	201680057104.3	申请日：	2016-05-20
公开（公告）号：	CN108138317A	公开（公告）日：	2018-06-08
发明（设计）人：	李伟;张臣雄	申请（专利权）人：	华为技术有限公司
主分类号：	C23C16/06	分类号：	C23C16/06
代理公司：	广州三环专利商标代理有限公司 44202	代理人：	郝传鑫;熊永强
地址：	518129 广东***	国省代码：	广东;44
权利要求书：	暂无信息	说明书：	暂无信息
摘要：	一种二维材料的缺陷识别方法以及基于二维材料的器件的制备方法，包括如下步骤：将生长有二维材料的第一基底置于原子层沉积系统中，控制原子层沉积过程的工艺参数，使二维材料的缺陷处沉积生长金属氧化物或金属，而缺陷以外的部位不生长或较少生长金属氧化物或金属；采用光学显微镜对缺陷处生长有金属氧化物或金属的二维材料进行拍照，得到二维材料表面图像，二维材料的缺陷由图像上的金属氧化物或金属所在的位置标定识别。该方法可准确高效地识别二维材料的缺陷，实现对缺陷的跟踪标记，适用于大面积的器件制备及其它需要定位二维材料缺陷的应用。
搜索关键词：	二维材料金属生长金属氧化物金属氧化物缺陷识别缺陷处生长制备原子层沉积过程原子层沉积系统光学显微镜表面图像跟踪标记器件制备位置标定沉积基底拍照图像应用
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摘要：一种二维材料的缺陷识别方法以及基于二维材料的器件的制备方法，包括如下步骤：将生长有二维材料的第一基底置于原子层沉积系统中，控制原子层沉积过程的工艺参数，使二维材料的缺陷处沉积生长金属氧化物或金属，而缺陷以外的部位不生长或较少生长金属氧化物或金属；采用光学显微镜对缺陷处生长有金属氧化物或金属的二维材料进行拍照，得到二维材料表面图像，二维材料的缺陷由图像上的金属氧化物或金属所在的位置标定识别。该方法可准确高效地识别二维材料的缺陷，实现对缺陷的跟踪标记，适用于大面积的器件制备及其它需要定位二维材料缺陷的应用。

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摘要：本发明在一个方面描述了其上粘附有涂层的切削工具，所述涂层在一些实施例中可展示出所需的耐磨性和延长的切削寿命。带涂层的切削工具在一些实施例中包括基底和粘附于所述基底的涂层，所述涂层包含TiZrAl2O3多晶层。

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摘要：本发明在一个方面描述了其上粘附有涂层的切削工具，所述涂层在一些实施例中可展示出所需的耐磨性和增加的切削寿命。带涂层的切削工具在一些实施例中包含基底和粘附到所述基底的涂层，所述涂层包含通过化学气相沉积法而沉积的至少一个包含ZrAl2O3的Zr掺杂层。

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摘要：本发明涉及一种薄膜封装方法，包括如下步骤通过PECVD方法沉积有机功能层；通过脉冲流量PECVD方法沉积无机功能层，所述脉冲流量PECVD方法是将PECVD方法中的前驱体通过脉冲输入方式输入；沉积若干有机功能层和无机功能层交替结构的薄膜。实现了速度可控、快速沉积较高质量的薄膜。

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摘要：本发明涉及石墨烯材料技术领域，尤其涉及一种透明导电复合薄膜，包括石墨烯薄膜和聚对二甲苯薄膜，所述聚对二甲苯薄膜设置在所述石墨烯薄膜的一面上。本发明的有益效果是：提供一种透明导电复合薄膜，通过聚对二甲苯薄膜对石墨烯薄膜实现支承，聚对二甲苯薄膜能与石墨烯形成分子尺度的紧密接触，通过π-π耦合作用对石墨烯起到有效力学支撑作用，可明显抑制石墨烯热振动，从而稳定石墨烯电性能，大幅度提高石墨烯的使用性能。

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摘要：本发明提供了一种制备掺杂铝的氧化锌(AZO)纳米晶体的方法。在一种示例性实施方式中，所述方法包括(1)在非配位溶剂中的邻二醇的溶液中注射锌前体、铝前体、胺和脂肪酸的前体混合物，从而得到反应混合物，(2)从所述反应混合物中沉淀出纳米晶体，从而得到最终的沉淀物，和(3)在非极性溶剂中溶解所述最终的沉淀物。本发明还提供了一种分散体。在一种示例性实施方式中，所述分散体含有(1)彼此充分分离的纳米晶体和(2)非极性溶剂，其中，所述纳米晶体涂布有表面活性剂，所述纳米晶体悬浮在所述非极性溶剂中。本发明还提供了一种膜。在一种示例性实施方式中，所述膜包括(1)基材和(2)在基材上均匀分布的纳米晶体。

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申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： C23C16/06
摘要：本发明实施例公开了一种沉积含金属膜于具有图案化构造的基板上的方法，即揭示由底部向上的金属沉积方法，以填入内连线结构和置换栅极结构，能使具有高深宽比的细微构造的间隙填入不会造成空洞，并且提供具有良好镀膜品质的金属膜。利用GCIB工艺沉积金属膜的临场前处理能允许表面杂质和表面氧化物，以改善底层和沉积的金属之间的粘结性。借由PI-CVD工艺沉积的金属膜是使用高能量低频率的光源，于相对低的温度时呈现类液态的性质，而允许金属膜由底部向上填入细微构造。由PI-CVD工艺沉积的金属膜的后沉积退火工艺能使金属膜致密化，并从金属膜移除残留的气态物种。本发明解决了具有高深宽比的细微构造在间隙填入时所面临的挑战。

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摘要：本发明涉及采用原子层沉积的超薄、连续、共形金属膜的成核以及作为燃料电池催化剂的用途，尤其涉及在衬底上获得共形超薄的铂的或其合金之一的膜的方法，其可经济地用作异质催化剂，例如汽车聚合物电解质膜(PEM)燃料电池催化剂。该方法包括在铂原子层沉积中使用氢等离子体以及使用钨作为衬底或锚定性粘附层以有助于铂的成核与沉积。

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在ALD或CVD工艺中用于GST薄膜的碲前体-200810189883.X
发明人：萧满超;杨柳;T·R·加夫尼 -专利权人：气体产品与化学公司
申请日： 2008-11-27 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： C23C16/06
摘要：本发明涉及一种利用选自原子层沉积和化学气相沉积的工艺制造锗-锑-碲合金薄膜的方法，其中甲硅烷基碲前体被用作为合金薄膜中碲的来源，并使其在沉积过程中与醇反应。

专利分类

C 化学；冶金

C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的

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