[发明专利]背侧耦合式对称变容管结构有效

专利信息
申请号: 201680052786.9 申请日: 2016-08-01
公开(公告)号: CN108028269B 公开(公告)日: 2019-06-28
发明(设计)人: D·D·金;D·F·伯蒂;J-H·J·兰;C·H·尹;J·金 申请(专利权)人: 高通股份有限公司
主分类号: H01L29/66 分类号: H01L29/66;H01L27/08;H01L29/93;H01L21/762;H01L27/12
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陈炜;袁逸
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 对称变容管结构可以包括第一变容管组件。第一变容管组件可以包括作为区域调节电容器的第二极板操作的栅极、作为介电层操作的栅极氧化层、以及作为区域调节电容器的第一极板操作的本体。另外,掺杂区可以围绕第一变容管组件的本体。第一变容管组件可以在背侧由隔离层支撑。对称变容管结构还可包括第二变容管组件,其通过背侧导电层来电耦合到第一变容管组件的背侧。
搜索关键词: 耦合 对称 变容管 结构
【主权项】:
1.一种对称变容管结构,包括:第一变容管组件,其具有作为区域调节电容器的第二极板操作的栅极、作为介电层操作的栅极氧化层、以及作为所述区域调节电容器的第一极板操作的本体,并且多个掺杂区围绕所述本体,所述第一变容管组件在背侧由隔离层的前侧表面支撑;第二变容管组件,其在背侧由所述隔离层的所述前侧表面支撑;以及背侧导电层,其被电耦合到所述第一变容管组件的背侧,并且延伸穿过所述隔离层并沿着所述隔离层的背侧表面延伸,并且穿过所述隔离层的所述背侧表面到所述前侧表面以电耦合到所述第二变容管组件的背侧。
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