[发明专利]半导体晶圆加工用粘合带在审
| 申请号： | 201680005517.7 | 申请日： | 2016-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN107112230A | 公开（公告）日： | 2017-08-29 |
| 发明（设计）人： | 内山具朗 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;C09J4/00;C09J5/00;C09J7/02;C09J201/00 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司11444 | 代理人： | 龚敏,王刚 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供特别是在硅晶圆等的背面磨削工序中，在背面研磨后从晶圆表面将半导体加工用粘合带剥离时不会产生残胶的半导体加工用粘合带。本发明的半导体晶圆加工用粘合带1，其特征在于，其具有基材膜2和设置于上述基材膜2的单面侧的能量射线固化型的粘合剂层3，在将能量射线照射前的粘合力设为A(N/25mm)、将粘力设为T(KPa)、将伸长值设为E(mm)、将照射能量射线后的粘合力设为AUV(N/25mm)、将粘力设为TUV(KPa)、将伸长值设为EUV(mm)时，AUV/A≤0.3，且TUV/T≤0.05，且EUV/E≤0.3。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶圆加 工用 粘合 | ||
【主权项】：
一种半导体晶圆加工用粘合带，其特征在于，其具有基材膜和设置于所述基材膜的单面侧的能量射线固化型的粘合剂层，在将能量射线照射前的粘合力设为A(N/25mm)、将粘力设为T(KPa)、将伸长值设为E(mm)、将照射能量射线后的粘合力设为AUV(N/25mm)、将粘力设为TUV(KPa)、将伸长值设为EUV(mm)时，AUV/A≤0.3，且TUV/T≤0.05，且EUV/E≤0.3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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