[实用新型]一种用于静电放电保护的高密度栅极二极管有效
| 申请号： | 201620749938.8 | 申请日： | 2016-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN205828393U | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | 刘婷婷;雷玮 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L27/085;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 100176 北京市大兴*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种用于静电放电保护的高密度栅极二极管，至少包括：N阱区、p+区、n+区以及多晶硅栅；所述p+区和n+区形成在所述N阱区中，并且所述p+区和n+区间隔排列形成阵列结构；所述多晶硅栅形成在所述p+区和n+区之间的N阱区表面。所述栅极二极管还包括第一金属层和第二金属层，分别与所述p+区和所述n+区电连；所述第一金属层和第二金属层形成均匀对称的金属布局布线网络。本实用新型的二极管可在其四周均形成有效的ESD电流释放通道，并且p+/n+的排列方式可以提高单位面积内的有效周长。另外，利用均匀对称的金属布线网络，可以使矩阵中每个单元具有均匀的电场分布，从而实现ESD电流的均匀泄放，防止局部过热而导致器件过早失效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 静电 放电 保护 高密度 栅极 二极管 | ||
【主权项】：
一种用于静电放电保护的高密度栅极二极管，其特征在于，所述栅极二极管至少包括：N阱区、p+区、n+区以及多晶硅栅；所述p+区和n+区形成在所述N阱区中，并且所述p+区和n+区间隔排列形成阵列结构；所述多晶硅栅形成在所述p+区和n+区之间的N阱区表面。
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