[实用新型]一种硅基异质集成的P沟道HFET器件有效
| 申请号： | 201620600676.9 | 申请日： | 2016-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN205670542U | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 黎明 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 徐丰;胡川 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，公开了一种硅基异质集成的P沟道HFET器件，包括：衬底；低温InAlAs成核层，所述低温InAlAs成核层位于所述衬底上；InAlSb缓冲层，所述InAlSb缓冲层位于所述低温InAlAs成核层上；InGaSb沟道层，所述InGaSb沟道层位于所述InAlSb缓冲层上；InAlSb隔离层，所述InAlSb隔离层位于所述InGaSb沟道层上；InAlSb势垒层，所述InAlSb势垒层位于所述InAlSb隔离层上；InGaSb帽层，所述InGaSb帽层位于所述InAlSb势垒层上，在所述InGaSb帽层中间刻蚀有凹槽，所述凹槽由InGaSb帽层顶端延伸至所述InAlSb势垒层。源电极、漏电极、栅电极，所述源电极和漏电极分别位于所述InGaSb帽层上的两侧，所述栅电极插入所述凹槽内与所述InAlSb势垒层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅基异质 集成 沟道 hfet 器件 | ||
【主权项】：
一种硅基异质集成的P沟道HFET器件，其特征在于，包括：衬底；低温InAlAs成核层，所述低温InAlAs成核层位于所述衬底上；InAlSb缓冲层，所述InAlSb缓冲层位于所述低温InAlAs成核层上；InGaSb沟道层，所述InGaSb沟道层位于所述InAlSb缓冲层上；InAlSb隔离层，所述InAlSb隔离层位于所述InGaSb沟道层上；InAlSb势垒层，所述InAlSb势垒层位于所述InAlSb隔离层上；InGaSb帽层，所述InGaSb帽层位于所述InAlSb势垒层上，在所述InGaSb帽层中间刻蚀有凹槽，所述凹槽由InGaSb帽层顶端延伸至所述InAlSb势垒层，源电极、漏电极、栅电极，所述源电极和漏电极分别位于所述InGaSb帽层上的两侧，所述栅电极插入所述凹槽内与所述InAlSb势垒层接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都海威华芯科技有限公司，未经成都海威华芯科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620600676.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：等比例缩小的GaN HEMT器件
- 下一篇：FinFET检测结构
- 同类专利
- 专利分类
