[实用新型]一种高质量MIS结构的AlNGaN基场效应晶体管有效
| 申请号： | 201620385916.8 | 申请日： | 2016-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN205810820U | 公开（公告）日： | 2016-12-14 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;王文静;何亮 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体器件领域，公开了一种高质量MIS栅结构的GaN MISFET。具体涉及MIS界面的改进，该器件包括衬底及生长在衬底上的外延层以及栅介质层、源极、漏极、栅极。所述外延层包括一次外延生长的应力缓冲层和GaN外延层，以及AlN薄层，其上再选择区域生长二次外延层，并形成凹槽沟道。再沉积栅介质层，栅极金属覆盖于凹槽沟道栅介质层之上，栅极两端覆盖金属形成源极和漏极。本实用新型器件结构和制备工艺简单可靠，能形成高质量的MIS栅界面，提高GaN MISFET器件的性能，尤其是对沟道电阻的降低以及阈值电压稳定性问题的改善是十分关键的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 质量 mis 结构 alngan 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种高质量MIS结构的AlNGaN基场效应晶体管，其特征在于，由下往上依次包括衬底（1），应力缓冲层（2），GaN外延层（3），AlN外延层（4），二次外延层（5），二次外延形成凹槽，栅介质层（6），两端形成源极（7）和漏极（8），凹槽沟道处的绝缘层（6）上覆盖有栅极（9）。
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