[实用新型]一种低压超结MOSFET终端结构有效
| 申请号： | 201620261345.7 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN205488142U | 公开（公告）日： | 2016-08-17 |
| 发明（设计）人： | 刘挺;杨乐;岳玲;徐西昌 | 申请（专利权）人： | 西安龙腾新能源科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安新思维专利商标事务所有限公司 61114 | 代理人： | 李罡 |
| 地址： | 710021 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种低压超结MOSFET终端结构，包括外延层划分的有源区与终端区，所述有源区内设置有有源区深沟槽，所述终端区内设置有至少包含两条并且围绕有源区深沟槽的终端区深沟槽，其中，至少一条靠近所述有源区深沟槽的终端区深沟槽为隔离环，至少一条靠近划片槽的终端区深沟槽为截止环；所述隔离环内沉积的多晶硅层与源极表面金属短接为零电位，所述截止环浮空。本实用新型能够保持终端击穿电压不变的前提下，减少器件生产中的光罩数量，并且能够用传统的半导体制造工艺实现，不会增加工艺的难度，从而降低器件生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低压 mosfet 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种低压超结MOSFET终端结构，其特征在于，该终端结构包括外延层划分的有源区与终端区，所述有源区内设置有有源区深沟槽，所述终端区内设置有至少包含两条并且围绕有源区深沟槽的终端区深沟槽，其中，至少一条靠近所述有源区深沟槽的终端区深沟槽为隔离环，至少一条靠近划片槽的终端区深沟槽为截止环；所述隔离环内沉积的多晶硅层与源极表面金属短接为零电位，所述截止环浮空。
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