[实用新型]一种氮化镓基高电子迁移率晶体管有效
| 申请号： | 201620255990.8 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN205723544U | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 曲兆珠;赵子奇;朱超;张后程;姜涛;胡子阳 | 申请（专利权）人： | 宁波大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/20;H01L29/778 |
| 代理公司： | 宁波诚源专利事务所有限公司 33102 | 代理人： | 张一平;叶桂萍 |
| 地址： | 315211 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次由衬底，GaN缓冲层，沟道层，势垒层，势垒层上的源极、漏极和栅极，栅极与漏极之间的电荷补偿层，电荷补偿层上的金属电极以及绝缘介质组成，其特征在于：所述的沟道层、势垒层和电荷补偿层均为GaN材料，沟道层和势垒层极化方向相反，势垒层和电荷补偿层极化方向相反。沟道层和势垒层之间与势垒层和电荷补偿层之间由于极化电荷不平衡，产生了数量相同、类型相反的电荷，形成电荷自平衡的超结结构。解决了采用AlGaN等材料作为势垒层引起的可靠性与输出功率低等问题，同时解决了已有超结GaN器件中的电荷不平衡问题，提升了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 镓基高 电子 迁移率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种氮化镓基高电子迁移率晶体管，从下至上依次主要由衬底(101)，GaN缓冲层(102)，沟道层(103)，势垒层(104)，势垒层(104)上的源极(105)、漏极(106)和栅极(107)，栅极(107)与漏极(106)之间的电荷补偿层(108)，电荷补偿层(108)上的金属电极(110)以及绝缘介质(109)组成，其特征在于：所述的沟道层(103)、势垒层(104)和电荷补偿层(108)均为GaN材料，沟道层(103)和势垒层(104)极化方向相反，势垒层(104)和电荷补偿层(108)极化方向相反。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于宁波大学，未经宁波大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201620255990.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
