[实用新型]一种半导体器件有效
| 申请号： | 201620205930.5 | 申请日： | 2016-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN205621763U | 公开（公告）日： | 2016-10-05 |
| 发明（设计）人： | M·S·沙塔拉维;R·杰因;杨锦伟;M·舒尔;R·格斯卡 | 申请（专利权）人： | 传感器电子技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国南*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开涉及一种半导体器件。要解决的一个技术问题是提供用于改进半导体层的生长的图案化表面。该半导体器件包括衬底，所述衬底包括具有有助于在其上生长缓冲层的一组属性的图案化表面，其中图案化表面包括多个平坦的顶表面和具有多个底表面的多个开口，以及其中多个平坦的顶表面中的至少一个或者多个底表面中的至少一个被图案化用于具有对应于器件工作波长的辐射。本实用新型的一个方面的技术效果是，通过使用改进的图案化表面和构造用来在图案化表面上进行导波辐射的至少一个表面可以提高半导体器件的光学性质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，所述半导体器件包括：衬底，所述衬底包括具有有助于在其上生长缓冲层的一组属性的图案化表面，其中所述图案化表面包括多个平坦的顶表面和具有多个底表面的多个开口，其中，所述多个平坦的顶表面中的每一个包括具有小于0.5纳米的均方根粗糙度的一组区，其中，所述多个开口具有在0.1微米与5微米之间的特征尺寸，以及其中，所述多个平坦的顶表面中的至少一个或者所述多个底表面中的至少一个具有光子晶体图案，所述光子晶体图案形成针对具有对应于器件工作波长的辐射的光子晶体。
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