[实用新型]一种带有深阱终端环结构的平面可控硅芯片

摘要

本实用新型公开了一种带有深阱终端环结构的平面可控硅芯片，它包括N­^﹣型硅单晶片、背面P型阳极区、正面P型短基区、N­⁺型阴极区、正面的门极金属电极、正面的阴极金属电极、背面的阳极金属电极、对通隔离环和深阱终端环，深阱终端环内填充有钝化保护膜，深阱终端环与正面P型短基区相连并环绕在正面P型短基区的四周，深阱终端环的深度大于正面P型短基区的深度。采用深阱终端环结构，反向偏置时，耗尽层向深阱终端环的内部扩展多，能够减小芯片尺寸，深阱终端环是由铝扩散形成，具有更高的临界电场强度，可以实现更高的耐压，减小芯片终端尺寸，节约硅片面积，提高硅片利用率。

主权项

一种带有深阱终端环结构的平面可控硅芯片，它包括N­^﹣型硅单晶片、背面P型阳极区、正面P型短基区、N­⁺型阴极区、正面的门极金属电极、正面的阴极金属电极、背面的阳极金属电极、对通隔离环和深阱终端环，所述深阱终端环内填充有钝化保护膜，其特征在于：所述深阱终端环与正面P型短基区相连并环绕在正面P型短基区的四周，所述深阱终端环的深度大于正面P型短基区的深度。