[实用新型]一种P+深结区位于短路孔内的半导体放电管芯片

摘要

本实用新型公开了一种P⁺深结区位于短路孔内的半导体放电管芯片，包括N型衬底、设置于N型衬底顶部和底部的P型浅结区、N⁺浅结区、金属化电极以及P⁺深结区，N型衬底顶部和底部P型浅结区的外部覆盖有一层带短路孔的N⁺浅结区，短路孔内设有P⁺深结区，N⁺浅结区的外部覆盖有金属化电极，N型衬底的顶部和底部的四周设有上下对称的台面钝化槽，本实用新型使整个芯片在任何一个工作方向上都能大面积通过电流，提高芯片的面积利用率，提高电流均匀性，显著改善器件的散热问题并提高器件的电流处理能力。

主权项

一种P⁺深结区位于短路孔内的半导体放电管芯片，包括N型衬底、设置于N型衬底顶部和底部的P型浅结区、N⁺浅结区、金属化电极以及P⁺深结区，其特征在于：所述N型衬底顶部和底部P型浅结区的外部覆盖有一层带短路孔的N⁺浅结区，所述短路孔内设有P⁺深结区，所述N⁺浅结区的外部覆盖有金属化电极，所述N型衬底的顶部和底部的四周设有上下对称的台面钝化槽。