[发明专利]SiOCN薄膜的形成有效
| 申请号： | 201611271042.4 | 申请日： | 2016-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN106711025B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | T·苏祖基;V·J·波雷 | 申请（专利权）人： | ASMIP控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 11245 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供了用于在反应空间中的衬底上沉积氧碳氮化硅(SiOCN)薄膜的方法。方法包括至少一个等离子体增强原子层沉积(PEALD)循环，其包括交替地和顺序地将衬底与硅前驱物以及不包括氧的第二反应物接触。在一些实施例中方法允许沉积具有提高的酸基湿法刻蚀抗性的SiOCN膜。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 沉积 等离子体增强原子层沉积 反应物接触 氧碳氮化硅 反应空间 硅前驱物 湿法刻蚀 抗性 酸基 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种通过等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在反应空间中的衬底上形成氧碳氮化硅(SiOCN)薄膜的方法，其中所述PEALD工艺包括至少一个沉积循环，包括：/n将所述衬底的表面与气相硅前驱物接触从而于所述衬底的表面上吸附硅物质；/n将吸附的硅物质与由从不包括氧的气体所形成的等离子体所产生的至少一个反应性物质接触；/n任选地重复所述接触步骤直至已经形成了所需厚度的SiOCN膜；以及/n在预定数目的沉积循环之后执行氢等离子体处理循环，所述氢等离子体处理循环包括将所述衬底与由来自氢的等离子体所产生的反应性物质接触；/n其中所述硅前驱物选自以下通式：/n(RIO)4-xSi(RII-NH2)x (1)/n其中x是从1至4的整数；/nRI独立地选自烷基；以及/nRII独立地选自烃基；/n(RIO3)Si-RII-NH2 (2)/n其中RI独立地选自烷基；以及/nRII独立地选自烃基；/n(RIO)4-xSi(-[CH2]n-NH2)x (3)/n其中x是从1至4的整数；/nn是从1-5的整数；以及/nRI独立地选自烷基。/n
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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