[发明专利]半导体存储器装置有效
| 申请号： | 201611245437.7 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107039069B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 赛尔·普特·辛格;陈蓉萱;陈炎辉;维那希·加德;应大元 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/418 | 分类号： | G11C11/418;G11C11/419;G11C7/10;G11C8/16;G11C5/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种半导体存储器装置。存储器单元阵列以行和列布置，且包括第一子阵列和第二子阵列。第一对互补位线CBL沿着列从所述阵列的第一侧延伸，且终止于所述第一与第二子阵列之间。第二对CBL从所述阵列的所述第一侧沿着所述列延伸到所述阵列的第二侧。所述第二对CBL中的CBL在所述第一与第二子阵列之间具有阶梯式轮廓。第三对CBL和第四对CBL沿着所述列延伸。所述第一和第三对CBL电耦合到所述第一子阵列中的存储器单元，且所述第二和第四对CBL电耦合到所述第二子阵列中的存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器装置，其包括：存储器单元阵列，其以行和列布置，其中所述阵列包含第一存储器单元子阵列和第二存储器单元子阵列；第一对互补位线CBL，其沿着所述阵列的列从所述阵列的第一侧延伸，且终止于所述第一与第二子阵列之间，其中所述第一对CBL电耦合到所述列中的所述第一子阵列的存储器单元；第二对CBL，其从所述阵列的所述第一侧沿着所述列延伸到所述阵列的第二侧，其中所述第二对CBL电耦合到所述列中的所述第二子阵列的存储器单元，且其中所述第二对CBL中的所述CBL在所述第一与第二子阵列之间具有阶梯式轮廓；以及第三对CBL和第四对CBL，其沿着所述列延伸，其中所述第三和第四对CBL分别电耦合到所述列中的所述第一子阵列的所述存储器单元和所述列中的所述第二子阵列的所述存储器单元。
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