[发明专利]碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201611241618.2 | 申请日： | 2016-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN107039268B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 胁本节子;岩谷将伸 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/322 | 分类号： | H01L21/322;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供能够在维持低导通电阻的状态下降低栅极阈值电压的偏差且能够降低漏电不良的碳化硅半导体装置及碳化硅半导体装置的制造方法。在沟槽栅极结构的纵向型MOSFET中，以包括形成沟道的部分的方式在包括外延生长的p型碳化硅层(22)的p型基区(4)的内部设置高浓度注入区(13)。高浓度注入区(13)通过向p型碳化硅层(22)进行的p型杂质的离子注入而形成。高浓度注入区(13)通过p型的离子注入形成，与p型碳化硅层(22)相比具有高杂质浓度的峰(13a)且在深度方向具有高低差的山形的杂质浓度分布曲线(31)。通过用于形成高浓度注入区(13)的离子注入，在p型基区(4)产生晶体结构部分错乱。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型的第一外延生长层，其设置于碳化硅基板的正面；第二导电型的第二外延生长层，其设置于所述第一外延生长层的与所述碳化硅基板侧相反的一侧；第二导电型的第一半导体区，其选择性地设置于所述第二外延生长层的内部，且杂质浓度比所述第二外延生长层的杂质浓度高；第一导电型的第二半导体区，其选择性地设置于所述第二外延生长层的内部的比所述第一半导体区浅的位置；沟槽，其贯穿所述第二半导体区、所述第一半导体区和所述第二外延生长层并到达所述第一外延生长层；栅极，其隔着栅极绝缘膜设置于所述沟槽的内部；第一电极，其与所述第二半导体区和所述第二外延生长层接触；以及第二电极，其设置于碳化硅基板的背面，所述第一半导体区有沿深度方向具有杂质浓度的高低差而形成为山形的第二导电型杂质浓度分布曲线，该第二导电型杂质浓度曲线的峰的杂质浓度比第二外延层的杂质浓度高。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
