[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201611221504.1 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN107017158A | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 北山纯一 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/78;H01L29/41 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了一种半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法在半导体衬底的表面侧上形成槽，并且在此之后从半导体衬底的背部侧执行研磨，直到研磨面到达槽。在此之后，在通过研磨被分离的半导体衬底的背部上形成背部电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：(a)在具有多个芯片区的衬底的表面侧上形成元件；(b)在划分所述芯片区的边界区中形成槽；(c)从所述衬底的背部侧将所述衬底研磨到所述槽；以及(d)在步骤(c)中被分离的所述衬底的背部上形成背部电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611221504.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于渔光互补光伏支架的地桩
- 下一篇：太阳能发电装置及照明系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
