[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

(a)在具有多个芯片区的衬底的表面侧上形成元件；

(b)在划分所述芯片区的边界区中形成槽；

(c)从所述衬底的背部侧将所述衬底研磨到所述槽；以及

(d)在步骤(c)中被分离的所述衬底的背部上形成背部电极。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中，在所述衬底的表面朝上来看时，在步骤(b)中形成的所述槽的截面形状包括倒锥形，并且

其中在步骤(c)中，所述芯片区被分离成多个半导体芯片。

3.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，

其中，在所述衬底的所述表面朝上来看时，所述槽的所述截面形状是倒梯形或倒三角形。

4.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，

其中，当注意到在步骤(c)中被分离的所述多个半导体芯片中彼此相邻的第一半导体芯片和第二半导体芯片时，所述第一半导体芯片的背部与所述第二半导体芯片的背部之间的距离小于所述第一半导体芯片的元件形成面与所述第二半导体芯片的元件形成面之间的距离。

5.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，

其中，在步骤(d)中，在相应的所述半导体芯片上形成的所述背部电极彼此分离。

6.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，在步骤(d)之后进一步包括扩张步骤，所述扩张步骤扩宽所述半导体芯片之间的间隙，

其中，在步骤(d)中在相应的所述半导体芯片上形成的所述背部电极连续的情况下，通过所述扩张步骤，在相应的所述半导体芯片上形成的所述背部电极被彼此分离。

7.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，在步骤(c)之后并且在步骤(d)之前进一步包括加工应变移除步骤，所述加工应变移除步骤移除在所述分离的衬底的所述背部和所述槽的侧面上形成的加工应变。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，

其中所述加工应变移除步骤使用等离子体处理。

9.根据权利要求2所述的半导体装置的制造方法，

其中，倾斜角度大于或等于25°并且小于或等于85°，所述倾斜角度是所述槽的侧面与所述背部之间的角度。

10.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中所述元件是功率晶体管。

11.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中，在所述衬底的所述表面朝上来看时，步骤(b)中形成的所述槽的截面形状包括倒锥形和垂直形状，所述垂直形状与所述衬底的所述表面垂直。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，

其中，倾斜角度大于或等于10°并且小于或等于40°，所述倾斜角度是所述槽的侧面与所述背部之间的角度。

13.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，

其中，在步骤(b)中形成的所述槽的截面形状由垂直形状部配置，所述垂直形状部与所述衬底的表面垂直，

其中在步骤(c)中，所述芯片区被彼此分离成多个半导体芯片，

其中所述半导体装置的制造方法在步骤(d)之后进一步包括扩张步骤，所述扩张步骤扩宽所述半导体芯片之间的间隙，并且

其中在步骤(c)中被分离的相应的所述半导体芯片通过在相应的所述半导体芯片的背部上形成的所述背部电极被互相耦接，并且在此之后通过所述扩张步骤被彼此分离。