[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

相关申请的交叉引用

于2016年1月27日提交的日本专利申请No.2016-013573的公开，包括说明书、附图和摘要，通过引用全部包含在本文中。

技术领域

本发明涉及半导体装置及其制造技术，并且例如涉及有效地应用于包括半导体芯片的背部上的背部电极的半导体装置的技术。

背景技术

WO/2005/022609(专利文献1)描述了一种技术，该技术将粘合膜放置在半导体晶片的表面上，并且之后在半导体晶片的背部上形成金属膜。

日本未审专利申请公开No.2002-016021(专利文献2)和日本未审专利申请公开No.2014-183097(专利文献3)描述了一种涉及所谓“先划割后研磨(Dicing Before Grinding)”的技术，其中在对半导体晶片的背部的研磨之前执行划割。

发明内容

现在，其中形成有功率晶体管的半导体芯片，采用使电流在半导体芯片的厚度方向上流动的结构，并且因此在半导体芯片的背部上形成金属膜的背部电极。进一步地，为了减少功率晶体管的通态电阻，其中形成有功率晶体管的半导体芯片被进一步薄化。

例如，通过以下步骤制造这样配置的半导体芯片。执行对半导体晶片的背部的研磨，以使得半导体晶片被薄化，并且在此之后在半导体晶片的背部上形成背部电极。随后，对半导体晶片执行刀片划割，由此，半导体晶片被分离成多个半导体芯片。

然而，由本申请的发明人进行的研究揭示了，在以上描述的步骤中，随着半导体晶片的厚度减少，对半导体晶片的划割变得较困难。这是因为在刀片划割中，随着半导体晶片的厚度减少，调整(condition)刀片表面的修整效应(dressing effect)降低。此外，由于在半导体晶片的背部上形成的背部电极，形成背部电极的软金属膜导致对刀片的阻塞(clogging)。因此，通过传统的刀片划割，将具有背部电极的薄化的半导体晶片分离成多个半导体芯片，变得困难。

从本说明书和附图的描述中，其它问题和新颖的特征将是明了的。

在实施例中的半导体装置的制造方法中，在衬底的表面侧上形成槽，并且在此之后从衬底的背部侧到槽执行研磨。在此之后，在通过研磨分离的衬底的背部上形成背部电极。

根据实施例，可以提高半导体装置的产量。

附图说明

图1是例示相关技术中的半导体装置的制造步骤的截面图。

图2是跟在图1后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图3是跟在图2后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图4是跟在图3后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图5是跟在图4后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图6是跟在图5后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图7是跟在图6后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图8是跟在图7后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图9是例示第一实施例中的半导体装置的制造步骤的截面图。

图10是跟在图9后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图11是跟在图10后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图12是跟在图11后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图13是跟在图12后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图14是跟在图13后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图15是跟在图14后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图16是例示第一实施例中的半导体芯片的外形的截面图。

图17是例示在单元形成区中形成的单元晶体管的装置结构的示例的截面图。

图18是例示第一实施例中的半导体装置的截面图。

图19是例示第一修改例中的半导体装置的制造步骤的截面图。

图20是例示通过第一修改例中的半导体装置的制造方法制造的半导体芯片的结构的截面图。

图21是例示第二修改例中的半导体装置的制造步骤的截面图。

图22是例示第二实施例中的半导体装置的制造步骤的截面图。

图23是跟在图22后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图24是跟在图23后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图25是跟在图24后例示半导体装置的制造步骤的截面图。

图26是跟在图25后例示半导体装置的制造步骤的截面图。