[发明专利]集成电路结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201611190733.1 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106997153B | 公开（公告）日： | 2019-09-24 |
| 发明（设计）人： | 魏文信;胡宪斌;侯上勇;陈伟铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/30;H01L21/768;H01L21/60;H01L23/52 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了集成电路结构及其制造方法。该方法包括对光刻胶执行第一光照射和第二光照射。使用第一光刻掩模，对光刻胶执行第一光照射，所述第一光刻掩模覆盖所述光刻胶的第一部分。所述光刻胶的第一部分具有在第一光照射中曝光的第一带状部分。使用第二光刻掩模，对所述光刻胶执行第二光照射，所述第二光刻掩模覆盖所述光刻胶的第二部分。所述光刻胶的第二部分具有在所述第二光照射中曝光的第二带状部分。所述第一带状部分和所述第二带状部分具有双次曝光的重叠部分。该方法还包括使光刻胶显影，以去除第一带状部分和第二带状部分，蚀刻光刻胶下方的介电层以形成沟槽，以及用导电部件填充沟槽。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路结构的方法，包括：使用第一光刻掩模，对光刻胶执行第一光照射，其中，所述第一光刻掩模覆盖所述光刻胶的第一部分，并且所述光刻胶的所述第一部分包括在所述第一光照射中曝光的第一带状部分；使用第二光刻掩模，对所述光刻胶执行第二光照射，其中，所述第二光刻掩模覆盖所述光刻胶的第二部分，并且所述光刻胶的所述第二部分包括在所述第二光照射中曝光的第二带状部分，并且所述第一带状部分和所述第二带状部分具有双次曝光的重叠部分，其中，所述光刻胶的所述第一带状部分和所述第二带状部分基本上对准在一直线上，所述重叠部分的宽度大于所述第一带状部分中的除所述重叠部分之外剩余部分的宽度；使光刻胶显影以除去所述第一带状部分和所述第二带状部分；蚀刻位于所述光刻胶下方的介电层，以形成连续的沟槽；以及用导电材料填充所述沟槽以形成导电部件，所述导电部件包括完整金属环，所述完整金属环是密封环的部分。
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