[发明专利]集成电路结构及其形成方法

权利要求书

1.一种形成集成电路结构的方法，包括：

使用第一光刻掩模，对光刻胶执行第一光照射，其中，所述第一光刻掩模覆盖所述光刻胶的第一部分，并且所述光刻胶的所述第一部分包括在所述第一光照射中曝光的第一带状部分；

使用第二光刻掩模，对所述光刻胶执行第二光照射，其中，所述第二光刻掩模覆盖所述光刻胶的第二部分，并且所述光刻胶的所述第二部分包括在所述第二光照射中曝光的第二带状部分，并且所述第一带状部分和所述第二带状部分具有双次曝光的重叠部分，其中，所述光刻胶的所述第一带状部分和所述第二带状部分基本上对准在一直线上，所述重叠部分的宽度大于所述第一带状部分中的除所述重叠部分之外剩余部分的宽度；

使光刻胶显影以除去所述第一带状部分和所述第二带状部分；

蚀刻位于所述光刻胶下方的介电层，以形成连续的沟槽；以及

用导电材料填充所述沟槽以形成导电部件，所述导电部件包括完整金属环，所述完整金属环是密封环的部分。

2.根据权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，其中，当所述光刻胶的第一部分在受到光照射时，所述光刻胶的第二部分的部分不受光照射，并且当所述光刻胶的第二部分受到光照射时，所述光刻胶的第一部分的部分不受光照射。

3.根据权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，其中，所述导电部件包括用于电连接的金属线。

4.根据权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，其中，所述介电层包括低k介电材料。

5.根据权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，其中，用所述导电材料填充所述沟槽，是双镶嵌工艺的部分。

6.根据权利要求1所述的形成集成电路结构的方法，其中，用所述导电材料填充所述沟槽，是单镶嵌工艺的部分。

7.一种形成集成电路结构的方法，包括：

形成包括第一区域、第二区域和第三区域的介电层，所述第三区域接合且在所述第一区域和所述第二区域之间；

在所述介电层上方形成光刻胶，所述光刻胶包括分别覆盖所述介电层的所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域的第一部分、第二部分以及第三部分；

对所述光刻胶的第一部分和第三部分执行第一光照射，而所述光刻胶的所述第二部分不曝光；

对所述光刻胶的第二部分和第三部分执行第二光照射，而所述光刻胶的第一部分不曝光；

使所述光刻胶显影以形成图案化的光刻胶；

将图案化的所述光刻胶用作蚀刻掩模，蚀刻所述介电层，其中，沟槽形成为连续地延伸到所述介电层的所述第一区域，所述第二区域以及所述第三区域中；

用导电材料填充所述沟槽以形成导电部件，所述导电部件包括金属线环，其中，在所述第一光照射中，所述光刻胶的第一带状部分被曝光为包括在所述光刻胶的第一部分中的第一子部分和所述光刻胶的第三部分的第三子部分，并且在所述第二光照射中，所述光刻胶的第二带状部分被曝光为包括所述光刻胶的第二部分的第二子部分和所述光刻胶的第三部分的第三子部分，其中，所述第三子部分比所述第一子部分和所述第二子部分都要宽并且所述第一子部分和所述第三子部分对准在一直线上。

8.根据权利要求7所述的形成集成电路结构的方法，其中，所述第二子部分和所述第三子部分对准在一直线上。

9.根据权利要求7所述的形成集成电路结构的方法，其中，所述第一子部分和所述第二子部分相互平行，并且没有对准在一直线上。

10.根据权利要求7所述的形成集成电路结构的方法，其中，分别使用第一光刻掩模和第二光刻掩模，执行所述第一光照射和所述第二光照射。

11.根据权利要求7所述的形成集成电路结构的方法，其中，所述导电部件包括金属线。