[发明专利]一种新型沟槽式肖特基整流器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201611160133.0 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN106847935A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 李风浪 | 申请（专利权）人： | 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司11246 | 代理人： | 连平 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种新型沟槽式肖特基整流器件及其制造方法，本发明的新型沟槽式肖特基整流器件，包括第一导电类型衬底，第一导电类型导电层，第一沟槽，第一导电介质，栅绝缘层，金属电极层，金属电极层与第一导电类型导电层形成第一肖特基势垒，相邻两个第一沟槽之间形成n个深度小于第一沟槽的第二沟槽，n为正整数，所述第二沟槽内填充第二导电介质，所述第二导电介质与所述第一导电类型导电层形成第二肖特基势垒，且所述第二肖特基势垒高度不大于第一肖特基势垒高度，本发明有效改善沟槽栅结构导致导电面积减小，正向导通压降变大的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 沟槽 式肖特基 整流 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种新型沟槽式肖特基整流器件，包括：第一导电类型衬底，形成于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型导电层，形成于所述第一导电类型导电层上表层中的第一沟槽，填充所述第一沟槽的第一导电介质，形成于所述第一沟槽与所述第一导电介质之间的栅绝缘层，形成于所述第一导电类型导电层表面上的金属电极层，金属电极层与第一导电类型导电层形成第一肖特基势垒，其特征在于：相邻两个第一沟槽之间形成n个深度小于第一沟槽的第二沟槽，n为正整数，所述第二沟槽内填充第二导电介质，所述第二导电介质与所述第一导电类型导电层形成第二肖特基势垒，且所述第二肖特基势垒高度不大于第一肖特基势垒高度。
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