[发明专利]一种新型沟槽式肖特基整流器件及其制造方法

权利要求书

1.一种新型沟槽式肖特基整流器件，包括：第一导电类型衬底，形成于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型导电层，形成于所述第一导电类型导电层上表层中的第一沟槽，填充所述第一沟槽的第一导电介质，形成于所述第一沟槽与所述第一导电介质之间的栅绝缘层，形成于所述第一导电类型导电层表面上的金属电极层，金属电极层与第一导电类型导电层形成第一肖特基势垒，其特征在于：相邻两个第一沟槽之间形成n个深度小于第一沟槽的第二沟槽，n为正整数，所述第二沟槽内填充第二导电介质，所述第二导电介质与所述第一导电类型导电层形成第二肖特基势垒，且所述第二肖特基势垒高度不大于第一肖特基势垒高度。

2.根据权利要求1所述的新型沟槽式肖特基整流器件，其特征在于：所述第二肖特基势垒高度小于第一肖特基势垒高度。

3.根据权利要求1所述的新型沟槽式肖特基整流器件，其特征在于：所述第二沟槽内的第二导电介质与第一沟槽内的第一导电介质通过栅绝缘层隔离。

4.根据权利要求3所述的新型沟槽式肖特基整流器件，其特征在于：所述第二沟槽形成在所述第一沟槽两侧。

5.根据权利要求1所述的新型沟槽式肖特基整流器件，其特征在于：所述第二导电介质与第一导电介质材料相同。

6.根据权利要求1所述的新型沟槽式肖特基整流器件，其特征在于：所述第二导电介质与金属电极层材料相同。

7.一种新型沟槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)依次在第一导电类型衬底上外延生长第一导电类型导电层，在第一导电类型导电层上形成第一沟槽，在第一沟槽内壁形成栅绝缘层；

(2)在第一沟槽内填充第一导电介质；

(3)在相邻两个第一沟槽之间形成n个深度小于第一沟槽的第二沟槽，n为正整数；

(4)在第二沟槽内填充第二导电介质；

(5)第一导电类型导电层上表面形成金属电极层。

8.根据权利要求7所述的新型沟槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于，所述第二导电介质与金属电极层材料相同时，(4)、(5)步同时进行。

9.一种新型沟槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)依次在第一导电类型衬底上外延生长第一导电类型导电层，在第一导电类型导电层上形成第一沟槽，在第一沟槽内壁形成栅绝缘层；

(2)在相邻两个第一沟槽之间形成n个深度小于第一沟槽的第二沟槽，n为正整数；

(3)在第一沟槽以及第二沟槽内填充第一导电介质以及第二导电介质材料，第一导电介质与第二导电介质材料相同；

(4)第一导电类型导电层上表面形成金属电极层。

10.根据权利要求9所述的新型沟槽式肖特基整流器件的制造方法，其特征在于：所述第一导电介质与第二导电介质以及金属电极层材料相同时，(3)、(4)步同时进行。