[发明专利]半导体装置有效
申请号: | 201611157985.4 | 申请日: | 2016-12-15 |
公开(公告)号: | CN106992180B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 李南宰 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H01L27/11556 | 分类号: | H01L27/11556;H01L27/11582 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 公开了一种半导体装置。根据本公开的实施方式的半导体装置可以包括连接一对沟道支柱的接触线且使狭缝插置在所述一对沟道支柱之间。接触线可以沿各个方向(例如,相对于狭缝的对角方向)延伸。接触线可以接触沟道支柱的上表面或侧壁。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
【主权项】:
一种半导体装置,该半导体装置包括:第一上部堆叠主体和第二上部堆叠主体,所述第一上部堆叠主体和所述第二上部堆叠主体沿第一方向彼此相邻并且通过狭缝彼此分开,其中,所述狭缝沿第二方向延伸;第一支柱组,所述第一支柱组包括第一沟道支柱至第N沟道支柱,其中,所述第一支柱组的所述第一沟道支柱至所述第N沟道支柱穿透所述第一上部堆叠主体;第二支柱组,所述第二支柱组包括第一沟道支柱至第N沟道支柱,其中,所述第二支柱组的所述第一沟道支柱至所述第N沟道支柱穿透所述第二上部堆叠主体;以及接触线,所述接触线沿相对于所述第一方向和所述第二方向的对角方向延伸,并且将所述第一支柱组的与所述狭缝相邻的所述第N沟道支柱与所述第二支柱组的与所述狭缝相邻的所述第N沟道支柱连接,其中,N是正整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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