[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，该半导体装置包括：

第一上部堆叠主体和第二上部堆叠主体，所述第一上部堆叠主体和所述第二上部堆叠主体沿第一方向彼此相邻并且通过狭缝彼此分开，其中，所述狭缝沿第二方向延伸；

第一支柱组，所述第一支柱组包括第一沟道支柱至第N沟道支柱，其中，所述第一支柱组的所述第一沟道支柱至所述第N沟道支柱穿透所述第一上部堆叠主体，并且所述第一支柱组的所述第N沟道支柱被布置为与所述狭缝相邻；

第二支柱组，所述第二支柱组包括第一沟道支柱至第N沟道支柱，其中，所述第二支柱组的所述第一沟道支柱至所述第N沟道支柱穿透所述第二上部堆叠主体，并且所述第二支柱组的所述第N沟道支柱被布置为与所述狭缝相邻；以及

接触线，所述接触线沿相对于所述第一方向和所述第二方向的对角方向延伸，

其中，所述第一支柱组的所述第N沟道支柱与所述第二支柱组的所述第N沟道支柱沿所述对角方向彼此相邻，

其中，所述接触线具有沿所述对角方向延伸的直线形状以联接所述第一支柱组的所述第N沟道支柱与所述第二支柱组的所述第N沟道支柱，并且

其中，N是正整数。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，

其中，所述接触线直接接触所述第一支柱组的所述第N沟道支柱和所述第二支柱组的所述第N沟道支柱。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括：

下部堆叠主体，所述下部堆叠主体从所述第一上部堆叠主体的下方延伸至所述第二上部堆叠主体的下方，

其中，所述下部堆叠主体被所述第一支柱组的所述第一沟道支柱至所述第N沟道支柱和所述第二支柱组的所述第一沟道支柱至所述第N沟道支柱中的一个或更多个穿透。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中，所述第一上部堆叠主体、所述第二上部堆叠主体和所述下部堆叠主体中的每一个包括层间绝缘层和导电图案的堆叠。

5.根据权利要求3所述的半导体装置，

其中，所述狭缝从所述第一上部堆叠主体和所述第二上部堆叠主体中的每一个的顶部向底部延伸。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，

其中，所述狭缝还延伸至所述下部堆叠主体的底部。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述第一支柱组和所述第二支柱组中的所述第一沟道支柱至所述第N沟道支柱中的每一个包括：

核心绝缘层；

覆盖导电层，所述覆盖导电层布置在所述核心绝缘层的顶部上；以及

沟道层，所述沟道层围绕所述核心绝缘层的侧壁和所述覆盖导电层的侧壁，

其中，所述接触线在所述第一支柱组的所述第N沟道支柱与所述第二支柱组的所述第N沟道支柱之间朝向所述第一上部堆叠主体和所述第二上部堆叠主体的内部延伸，并且直接接触所述覆盖导电层的侧壁。