[发明专利]半导体装置

说明书

公开了一种半导体装置。根据本公开的实施方式的半导体装置可以包括连接一对沟道支柱的接触线且使狭缝插置在所述一对沟道支柱之间。接触线可以沿各个方向(例如，相对于狭缝的对角方向)延伸。接触线可以接触沟道支柱的上表面或侧壁。

技术领域

本公开的实施方式涉及半导体装置及其制造方法，且更具体地，涉及包括三维存储装置的半导体装置及其制造方法。

背景技术

二维半导体装置可以包括按二维排列的存储单元。但是二维半导体装置具有集成度的限制。为了克服这种限制并且提高存储单元的集成度，提出了包括按三维排列的存储单元的三维半导体装置。

三维半导体装置包括具有三维结构的单元串。单元串具有三维结构并且包括存储单元和沟道层。存储单元堆叠在基板上并且彼此间隔开。沟道层沿着存储单元堆叠的方向延伸并且串联连接存储单元。沟道层的一端可以连接至位线。沟道层可以布置为锯齿形式使得沟道层可以密集地封装。为了使位线和沟道层适当地对齐，可以按窄间距来形成位线。

可以通过光刻工艺来形成位线。根据光源的极限分辨率来限制位线之间的距离。位线之间的距离越窄，越可能发生诸如桥接的缺陷。

发明内容

根据本公开的实施方式，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一上部堆叠主体和第二上部堆叠主体，所述第一上部堆叠主体和所述第二上部堆叠主体沿第一方向彼此相邻并且通过狭缝彼此分开，其中，所述狭缝沿第二方向延伸；第一支柱组，所述第一支柱组包括第一沟道支柱至第N沟道支柱，其中，所述第一支柱组的所述第一沟道支柱至所述第N沟道支柱穿透所述第一上部堆叠主体；第二支柱组，所述第二支柱组包括第一沟道支柱至第N沟道支柱，其中，所述第二支柱组的所述第一沟道支柱至所述第N沟道支柱穿透所述第二上部堆叠主体；以及接触线，所述接触线沿相对于所述第一方向和所述第二方向的对角方向延伸，并且将所述第一支柱组的与所述狭缝相邻的所述第N沟道支柱与所述第二支柱组的与所述狭缝相邻的所述第N沟道支柱连接，其中，N是正整数。

根据本公开的另一实施方式，提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一上部堆叠主体和第二上部堆叠主体，所述第一上部堆叠主体和所述第二上部堆叠主体沿第一方向彼此相邻并且通过狭缝彼此分开，其中，所述狭缝沿第二方向延伸；第一支柱组，所述第一支柱组包括第一沟道支柱至第N沟道支柱，其中，所述第一支柱组的所述第一沟道支柱至所述第N沟道支柱穿透所述第一上部堆叠主体；第二支柱组，所述第二支柱组包括第一沟道支柱至第N沟道支柱，其中，所述第二支柱组的所述第一沟道支柱至所述第N沟道支柱穿透所述第二上部堆叠主体；以及接触线，所述接触线从所述第一支柱组的与所述狭缝相邻的所述第N沟道支柱朝向所述第二支柱组的与所述狭缝相邻的所述第N沟道支柱延伸，其中，所述接触线朝向所述第一上部堆叠主体和所述第二上部堆叠主体的内部延伸，并且直接接触所述第一支柱组的所述第N沟道支柱的侧壁和所述第二支柱组的所述第N沟道支柱的侧壁，其中，N是正整数。

根据本公开的另一实施方式，提供了一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：形成围绕包括第一沟道支柱至第N沟道支柱的第一支柱组的第一上部堆叠主体和围绕包括第一沟道支柱至第N沟道支柱的第二支柱组的第二上部堆叠主体，其中，所述第一上部堆叠主体和所述第二上部堆叠主体沿第一方向彼此相邻；形成覆盖所述第一上部堆叠主体和所述第二上部堆叠主体的绝缘层；通过刻蚀所述绝缘层形成暴露出所述第一支柱组的所述第N沟道支柱的侧壁和所述第二支柱组的所述第N沟道支柱的侧壁的线槽，其中，刻蚀所述第一上部堆叠主体和所述第二上部堆叠主体的在彼此相邻的所述第一支柱组的所述第N沟道支柱与所述第二支柱组的所述第N沟道支柱之间的部分；以及在所述线槽内形成接触线，其中，所述接触线从所述第一支柱组的所述第N沟道支柱朝向所述第二支柱组的所述第N沟道支柱延伸，并且直接接触所述第一支柱组的所述第N沟道支柱的侧壁和所述第二支柱组的所述第N沟道支柱的侧壁。

附图说明