[发明专利]具有抗酸层的半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201611150511.7 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN107026181B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 朱胤硕;尤启中;方立言;张添尚;梁耀祥;蔡旻志 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件结构及其形成方法。半导体器件结构包括形成在衬底上方的互连结构和形成在互连结构上方的钝化层。半导体器件结构还包括形成在钝化层中的抗酸层和形成在抗酸层和钝化层上的接合层。抗酸层具有大于约140nm的厚度。本发明还提供了互补金属氧化物半导体图像传感器结构。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 抗酸层 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种互补金属氧化物半导体图像传感器结构，包括：衬底，具有前侧和背侧；互连结构，形成在所述衬底的所述前侧上方；抗酸层，形成在所述互连结构上方；接合层，形成在所述抗酸层上方；以及多个像素区域，形成在所述衬底的所述背侧上方或在所述接合层上方。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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