[发明专利]具有抗酸层的半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器结构，包括：

衬底，具有前侧和背侧；

互连结构，形成在所述衬底的所述前侧上方；

抗酸层，形成在所述互连结构上方；

接合层，形成在所述抗酸层上方；以及

多个像素区域，形成在所述衬底的所述背侧上方或在所述接合层上方，

钝化层，形成在所述接合层上方；以及

导电凸块结构，形成在所述钝化层中，其中所述导电凸块结构电连接至所述接合层，

其中，所述抗酸层具有在所述导电凸块结构下方延伸以及在所述导电凸块结构之间延伸的连续延伸部分，并且所述连续延伸部分横跨所述多个像素区域。

2.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器结构，其中，所述抗酸层包括金属氮化物层和金属层，并且所述金属氮化物层包括与所述金属层相同的金属元素。

3.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器结构，其中，所述抗酸层具有在140nm至250nm的范围内的厚度。

4.根据权利要求2所述的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器结构，其中，所述金属氮化物层是氮化钽(TaN)，并且所述金属层是钽(Ta)。

5.根据权利要求4所述的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器结构，其中，所述钽(Ta)是β相钽(Ta)。

6.根据权利要求2所述的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器结构，其中，所述金属氮化物层是氮化钛(TiN)，并且所述金属层是钛(Ti)。

7.根据权利要求1所述的互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器结构，还包括：

滤色镜层，位于所述像素区域上方；以及

微透镜层，位于所述滤色镜层上方。

8.一种半导体器件结构，包括：

互连结构，形成在衬底上方；

钝化层，形成在所述互连结构上方；

抗酸层，形成所述钝化层中；以及

接合层，形成在所述抗酸层和所述钝化层上，其中所述抗酸层具有大于140nm的厚度，

导电凸块结构，形成在所述接合层上方，其中所述导电凸块结构电连接至所述接合层，所述导电凸块结构完全覆盖所述抗酸层与所述接合层之间的整个接触面所在区域。

9.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其中，所述抗酸层与所述互连结构直接接触。

10.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其中，所述抗酸层具有在从140nm至250nm的范围内的厚度。

11.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其中，所述抗酸层包括金属氮化物层和金属层，并且所述金属氮化物层包括与所述金属层相同的金属元素。

12.根据权利要求11所述的半导体器件结构，其中，所述金属氮化物层是氮化钽(TaN)，并且所述金属层是钽(Ta)。

13.根据权利要求12所述的半导体器件结构，其中，所述钽(Ta)是β相钽(Ta)。