[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201611144591.5 | 申请日： | 2012-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN107068765B | 公开（公告）日： | 2021-03-09 |
| 发明（设计）人： | 本田达也;津吹将志;野中裕介;岛津贵志;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;付曼 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 降低包含在栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜中的杂质元素的浓度。另外，提高栅极绝缘膜附近的氧化物半导体膜的结晶性。一种半导体装置包括：在基底绝缘膜上的氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上的源电极及漏电极；形成在氧化物半导体膜上的包含硅氧化物的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。氧化物半导体膜包括硅浓度为1.0at.％以下的区域，并且，至少在区域内包括结晶部。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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