[发明专利]场效应晶体管、显示元件、图像显示装置以及系统有效
| 申请号： | 201611122623.1 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106876475B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 安部由希子;植田尚之;松本真二;早乙女辽一;中村有希;曾根雄司;新江定宪;草柳岭秀 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 安之斐;黄玫 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
一种场效应晶体管包括：栅电极，其被配置为施加栅极电压；源电极和漏电极，其被配置为将电流送出；有源层，其被置于邻近所述源电极和所述漏电极并由氧化物半导体形成；以及栅极绝缘层，其被置于所述栅电极与所述有源层之间。其中，所述栅极绝缘层包含顺电性非晶氧化物，其包含作为碱土金属的A族元素以及作为从由Ga、Sc、Y，以及镧系元素组成的所述族中选择的至少一个的B族元素，以及其中，所述有源层具有4.0×10 |
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| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 显示 元件 图像 显示装置 以及 系统 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，包括：栅电极，配置来施加栅极电压；源电极和漏电极，被配置为将电流送出；有源层，被置于邻近所述源电极和所述漏电极，并由氧化物半导体形成；以及栅极绝缘层，被置于所述栅电极与所述有源层之间，其中，所述栅极绝缘层包含顺电性非晶氧化物，所述顺电性非晶氧化物包含作为碱土金属的A族元素以及作为从由Ga、Sc、Y，以及镧系元素组成的族中选择的至少一个的B族元素，以及其中，所述有源层具有4.0×1017/cm3或更高的载流子密度。
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