[发明专利]场效应晶体管、显示元件、图像显示装置以及系统

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

栅电极；

源电极和漏电极；

有源层，被置于邻近所述源电极和所述漏电极，并由氧化物半导体形成；以及

栅极绝缘层，被置于所述栅电极与所述有源层之间，

其中，所述栅极绝缘层包含氧化物，所述氧化物包含作为碱土金属的A族元素以及作为从由Ga、Sc、Y，以及镧系元素组成的族中选择的至少一个的B族元素，以及

其中，所述有源层具有4.0×10¹⁷/cm³或更高的载流子密度；以及

其中，所述栅极绝缘层的介电常数大于8.0且取决于A族元素的原子总数NA与B族元素的原子总数NB之间的比例，所述比例满足以下：

NA:NB＝(3至50)at％:(50至97)at％；

NA+NB＝100at％。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，

其中，所述栅极绝缘层进一步含有C族元素，所述C族元素是从由Al、Ti、Zr、Hf、Nb以及Ta组成的族中选择的至少一个。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，

其中，所述栅极绝缘层具有大于7.0的介电常数。

4.根据权利要求1到3中任意一项所述的场效应晶体管，

其中，所述有源层包含n型氧化物半导体，所述n型氧化物半导体包含从由In、Zn、Sn以及Ti组成的族中选择的至少一个。

5.根据权利要求4所述的场效应晶体管，

其中，所述n型氧化物半导体经历与从由二价阳离子、三价阳离子、四价阳离子、五价阳离子、六价阳离子、七价阳离子以及八价阳离子组成的族中选择的至少一个掺杂物的取代掺杂，并且

其中，所述掺杂物从构成所述n型氧化物半导体的金属离子中排除，所述掺杂物的原子价大于所述金属离子的原子价。

6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，

其中，所述有源层具有1.0×10¹⁸/cm³或更高的载流子密度。

7.一种显示元件，包括：

光控制元件，被配置为根据驱动信号控制光输出；以及

驱动电路，包含根据权利要求1所述的场效应晶体管，并被配置为驱动所述光控制元件。

8.一种图像显示装置，其被配置为显示与图像数据相对应的图像，所述图像显示装置包括：

多个以矩阵形式布置的显示元件，所述多个显示元件的每一个为根据权利要求7所述的显示元件；

多个有线线路，被配置为单独地施加栅极电压和信号电压到所述多个显示元件中的所述场效应晶体管；以及

显示控制装置，被配置为与所述图像数据相对应地、经由所述多个有线线路控制所述场效应晶体管的所述栅极电压和所述信号电压。

9.一种系统，包括：

根据权利要求8所述的图像显示装置；以及

图像数据产生装置，被配置为基于要被显示的图像信息来产生图像数据，并将所述图像数据输出到所述图像显示装置。