[发明专利]用于薄晶片处理的改进的晶片边缘形状

摘要

本公开涉及用于薄晶片处理的改进的晶片边缘形状，提供了一种晶片，包括前表面、后表面以及位于前表面和后表面之间的边缘，该边缘具有位于前表面的边缘与晶片边缘的侧面之间的弯曲边缘轮廓。边缘轮廓包括接合前表面的边缘的第一凸曲线、接合侧面的第二凸曲线以及接合第一凸曲线和第二凸曲线的中间凹曲线。

主权项

1.一种晶片，包括：前表面；后表面；以及边缘，位于所述前表面与所述后表面之间，所述边缘具有位于所述前表面的边缘与所述晶片的边缘的侧面之间的弯曲边缘轮廓，其中所述弯曲边缘轮廓包括：第一凸曲线，接合所述前表面的边缘，第二凸曲线，接合所述侧面，和中间凹曲线，接合所述第一凸曲线和所述第二凸曲线，其中所述第二凸曲线包括距所述前表面中间深度的中间端点，其中所述中间凹曲线包括距所述前表面第一深度的第一端点，其中所述中间深度大于所述第一深度，并且其中所述中间凹曲线的至少一部分和所述第一凸曲线具有正梯度。