[发明专利]短漂移区的部分绝缘层上薄膜硅LDMOS晶体管在审
| 申请号： | 201611003267.1 | 申请日： | 2016-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN106571396A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 黄启俊;胡月;高潮 | 申请（专利权）人： | 扬州江新电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司32102 | 代理人： | 陈栋智 |
| 地址： | 225000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了电子元器件领域内的一种短漂移区的部分绝缘层上薄膜硅LDMOS晶体管，该晶体管至少包括一衬底层；一氧化层，一部分为硅窗，另一部分为埋氧层；一薄膜层，包括一源区、一体硅区、一漂移区、一漏区；一顶层，包括一薄氧化层、一厚氧化层、一栅电极、一源电极、一漏电极，本发明结构上实现了小尺寸、短漂移区，具有高击穿电压、低导通电阻、高驱动能力的特点，可用以电子线路板中。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移 部分 绝缘 薄膜 ldmos 晶体管 | ||
【主权项】：
一种短漂移区的部分绝缘层上薄膜硅LDMOS晶体管，其特征在于，该晶体管至少包括：一衬底层；一氧化层，一部分为硅窗，另一部分为埋氧层；一薄膜层，包括一源区、一体硅区、一漂移区、一漏区；一顶层，包括一薄氧化层、一厚氧化层、一栅电极、一源电极、一漏电极。
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