[发明专利]一种电路结构及制作方法和显示器面板

摘要

一种电路结构，包括：衬底和多个位于衬底之上的由金属氧化物构成有源层的薄膜晶体管，所述有源层包含有与栅极叠层相毗邻的沟道区，部分薄膜晶体管的整个沟道区上方设有调节层，在所述调节层覆盖下的形成耗尽型沟道区，在非调节层覆盖下的形成增强型沟道区；具有耗尽型沟道区的薄膜晶体管形成耗尽型薄膜晶体管，具有增强型沟道区的薄膜晶体管形成增强型薄膜晶体管；所述耗尽型薄膜晶体管和增强型薄膜晶体管相互电连接构成电路结构。本发明还涉及上述电路结构的制作方法和具有上述电路结构的显示器面板，可在增加薄膜晶体管阈值电压的调制范围的同时保持薄膜晶体管的高性能，制造工艺简化，成本低，可用于集成电路，特别是显示器面板中的电路。

主权项

1.一种电路结构，其特征在于，包括：衬底和多个位于所述衬底之上的由金属氧化物构成有源层的薄膜晶体管，所述有源层上设置有电极，所述电极与所述有源层相接触的区域分别形成源区和漏区，所述有源层包含有与栅极叠层相毗邻的沟道区，所述沟道区为所述有源层与非所述电极接触的区域，部分所述薄膜晶体管的整个沟道区上方设置有调节层，在所述调节层覆盖下的形成耗尽型沟道区，在非所述调节层覆盖下的形成增强型沟道区，所述耗尽型沟道区的电阻率小于所述增强型沟道区的电阻率；所述调节层的厚度大于含氧元素的物质在所述调节层中的扩散长度，以阻挡含氧元素的物质，从而降低金属氧化物的电阻率；具有所述耗尽型沟道区的薄膜晶体管形成耗尽型薄膜晶体管，具有所述增强型沟道区的薄膜晶体管形成增强型薄膜晶体管；所述耗尽型薄膜晶体管和所述增强型薄膜晶体管相互电连接构成电路结构。