[发明专利]半导体结构、制造其的方法及制造密封环结构的方法有效
| 申请号： | 201610948205.1 | 申请日： | 2016-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN107452672B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 王青杉;李顺益 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种制造半导体结构的方法。所述方法包含在半导体主体上方形成虚设结构。所述方法进一步包含在所述半导体主体上方沉积层间电介质。所述方法进一步包含移除所述虚设结构的虚设材料以在所述层间电介质中形成开口。所述方法进一步包含以介电材料填充所述开口以形成介电结构。所述方法进一步包含在所述介电结构上方堆叠多个互连元件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 密封 | ||
【主权项】：
一种制造半导体结构的方法，其特征在于，所述方法包括：在半导体主体上方形成虚设结构；在所述半导体主体上方沉积层间电介质；移除所述虚设结构的虚设材料以在所述层间电介质中形成开口；以介电材料填充所述开口以形成介电结构；以及在所述介电结构上方堆叠多个互连元件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
