[发明专利]半导体结构、制造其的方法及制造密封环结构的方法

说明书

本发明实施例提供一种制造半导体结构的方法。所述方法包含在半导体主体上方形成虚设结构。所述方法进一步包含在所述半导体主体上方沉积层间电介质。所述方法进一步包含移除所述虚设结构的虚设材料以在所述层间电介质中形成开口。所述方法进一步包含以介电材料填充所述开口以形成介电结构。所述方法进一步包含在所述介电结构上方堆叠多个互连元件。

技术领域

本发明实施例涉及一种制造半导体结构的方法。

背景技术

在半导体工艺中，在晶片上同时制造各自含有集成电路(integrated circuit，IC)的多个管芯。也称为保护环的密封环(seal ring)位于集成电路与切割线(scribeline)之间，以减小管芯锯切工艺期间沿着切割线的在管芯的内部部分上的应力的量值。密封环还充当阻挡层以用于保护管芯内部部分的半导体结构免受湿气降解、离子污染和静电放电损坏。

在一些方法中，密封环由连接到经掺杂衬底的互连的金属线与通孔形成。在一些方法中，制造多个密封环以帮助确保半导体装置的性质在较长时间周期内的稳定性。在一些方法中，在密封环中形成横向开口以切断用于耦合密封环中的噪声的路径，所述噪声不利地影响管芯中的IC的性能。

发明内容

根据本发明的一些实施例，一种制造半导体结构的方法包含在半导体主体上方形成虚设结构；在所述半导体主体上方沉积层间电介质；移除所述虚设结构的虚设材料以在所述层间电介质中形成开口；以介电材料填充所述开口以形成介电结构；以及在所述介电结构上方堆叠多个互连元件。

附图说明

在附图的诸图中作为实例而非限制说明一个或多个实施例，其中具有相同参考数字名称的元件贯穿诸图表示相同元件。需强调，根据行业中的标准惯例，各种特征可能并非按比例绘制且仅用于说明目的。实际上，为了论述的清楚起见，图式中的各个特征的尺寸可能被任意地增大或减小。

图1为根据一个或多个实施例的制造包含密封环的半导体装置的方法的流程图；

图2A为根据一个或多个实施例的具有密封环的半导体芯片的示意性平面图；

图2B到图2F为根据一个或多个实施例的在各个制造阶段沿着图2A中的线A-A'取的横截面图；

图3到图8为根据一个或多个实施例的半导体装置的横截面图。

具体实施方式

应理解，以下揭露内容提供用于实施本发明的不同特征的许多不同实施例或实例。下文描述组件和布置的特定实例以简化本揭露。当然，这些只是实例且并不意欲为限制性的。例如，在以下描述中，第一特征在第二特征上方或上的形成可包含第一特征及第二特征直接接触地形成的实施例，且还可包含额外特征可在第一特征与第二特征之间形成使得第一特征及第二特征可不直接接触的实施例。为简单及清楚起见，各种特征可按不同比例任意绘制。另外，本揭露可能在各个实例中重复参考数字和/或字母。此重复是出于简单和清楚的目的，且本身并不指示所论述的各种实施例和/或配置之间的关系。

另外，例如“在……下”、“在……下方”、“下部”、“在……上方”、“上部”及类似者的空间相对术语本文中为易于描述而使用，以描述如图中所说明的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。除图中所描绘的定向以外，与空间相关的术语还意欲包涵在使用中的装置或操作的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相关描述词同样可相应地进行解释。