[发明专利]一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管有效
| 申请号： | 201610890501.0 | 申请日： | 2016-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN106298947B | 公开（公告）日： | 2020-02-07 |
| 发明（设计）人： | 王盛凯;刘洪刚;孙兵;常虎东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 11021 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管，涉及半导体集成电路制造技术领域。本发明所述的场效应晶体管包括底栅电极、底栅介质层、底栅界面控制层、InGaAs沟道层、上界面控制层、高掺杂P型GaAs层、欧姆接触层、源漏金属电极、顶栅介质层、顶栅电极，其中源漏金属电极位于欧姆接触层两侧，在源漏金属电极中间刻蚀栅槽结构至界面控制层上表面，并将顶栅介质层均匀覆盖在栅槽结构内表面，最后将顶栅电极制备在顶栅介质层上。本发明利用双栅结构和界面控制层设计，实现了PMOS场效应晶体管更好的栅控功能和低界面态密度，能够满足高性能PMOS管的技术要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ingaaspmos 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种双栅InGaAs PMOS场效应晶体管，包括底栅结构、InGaAs沟道层、顶栅结构，其特征在于，还包括下界面控制层和上界面控制层，所述的下界面控制层位于所述底栅结构和InGaAs沟道层之间，所述的上界面控制层位于所述顶栅结构和InGaAs沟道层之间，其中，所述顶栅结构包括顶栅电极、顶栅介质层、欧姆接触层、高掺杂P型GaAs层和源漏金属电极，所述InGaAs沟道层的In组分为0.2，所述底栅结构包括底栅电极和底栅介质层，所述底栅电极键合设置在单晶衬底上。/n
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