[发明专利]一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610868474.7 | 申请日： | 2016-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN106298886B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 王盛凯;李跃;刘洪刚;孙兵;常虎东;龚著靖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 乔东峰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法。所述垂直集成双栅MOSFET结构相比传统平面MOSFET结构，采用具有高电子迁移率/高空穴迁移率的III‑V族半导体材料作为沟道材料；采用双栅结构有效提高了MOSFET器件的栅控能力，减小了短沟道效应等的影响；垂直方向集成NMOS和PMOS，增加了单位晶圆面积上器件的集成度；采用垂直通孔实现垂直方向的器件互联，有效减小互联引线的长度，提升器件工作速度。本发明所提供的垂直集成双栅MOSFET结构在后摩尔时代CMOS集成技术和高性能III‑V族半导体器件方面具有重要的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 集成 mosfet 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种垂直集成双栅MOSFET结构，其特征在于，所述双栅MOSFET结构包含自下而上垂直集成的衬底(101)、第一隔离层(102)、第一器件和第二器件，所述第一隔离层(102)叠置在所述衬底(101)上；所述第一器件在第二器件下方，叠置在第一隔离层(102)上，所述第一器件包含第一栅金属层(103a)和第二栅金属层(111a)；第二器件包含第三栅金属层(103b)和第四栅金属层(111b)；所述第一栅金属层(103a)和第二栅金属层(111a)形成第一器件的双栅结构，所述第三栅金属层(103b)和第四栅金属层(111b)形成第二器件的双栅结构；所述第一器件还包括第一界面控制层(105a)、第一III‑V族半导体沟道层(106a)、第一III‑V族半导体源漏层(108a)、第二界面控制层(107a)、第二栅介质层(109a)、第三栅介质层(113a)、第一源漏金属层(110a)；所述第一III‑V族半导体源漏层(108a)和第二界面控制层(107a)下方是第一III‑V族半导体沟道层(106a)，上方是第二栅介质层(109a)和第三栅介质层(113a)，所述第一源漏金属层(110a)叠置在第三栅介质层(113a)上，所述第二栅金属层(111a)叠置在第二栅介质层(109a)和第三栅介质层(113a)上。
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