[发明专利]优化FOM值的沟槽功率MOS管器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201610852023.4 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN106298884A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 袁力鹏;徐吉程;董超 | 申请（专利权）人： | 西安后羿半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/41 | 分类号： | H01L29/41;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司44202 | 代理人： | 郭永丽 |
| 地址： | 710018 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体功率器件技术领域，具体涉及到一种优化FOM值的沟槽功率MOS管器件及其制造方法，包括第一导电类型漏极区，位于所述第一导电类型漏极区上方的第一导电类型的外延层，位于所述第一导电类型外延层上方的第二导电类型阱区层，还包括：沟槽；栅氧化层；多晶硅层；源极区层；绝缘介质层；金属层；其中，所述栅氧化层底端部的厚度值大于所述栅氧化层侧面端的厚度值，所述栅氧化层底端部的厚度值大于所述多晶硅层顶端部的厚度值，所述栅氧化层底端部的厚度值小于所述沟槽的高度值，制造方法为制造优化FOM值的沟槽功率MOS管器件的方法。本发明在不影响通态电阻的基础上进一步优化栅氧电荷，最终降低器件的FOM(FOM＝Rdson*Qgd)值。 | ||
| 搜索关键词： | 优化 fom 沟槽 功率 mos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种优化FOM值的沟槽功率MOS管器件，包括第一导电类型漏极区，位于所述第一导电类型漏极区上方的第一导电类型的外延层，位于所述第一导电类型外延层上方的第二导电类型阱区层，其特征在于，还包括：沟槽，其穿过所述第二导电类型阱区层，延伸至所述第一导电类型外延层的内部；栅氧化层，其与所述沟槽的内侧面和底端接触，形成栅氧化层侧面端部和栅氧化层底端部；多晶硅层，其包括多晶硅层侧面端部和多晶硅层顶端部，所述多晶硅层侧面端部与所述栅氧化层侧面端部接触，所述多晶硅层顶端部与所述栅氧化层底端部的上方接触；源极区层，其位于所述第二导电类型阱区层的上方；绝缘介质层，其位于所述源极区层的上方，所述绝缘介质层上开设有接触孔，所述接触孔延伸至所述第二导电类型阱区层；金属区层，其位于所述绝缘介质层的上方，所述接触孔内设有金属；其中，所述栅氧化层底端部的厚度值大于所述栅氧化层侧面端的厚度值，所述栅氧化层底端部的厚度值大于所述多晶硅层顶端部的厚度值，所述栅氧化层底端部的厚度值小于所述沟槽的高度值。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安后羿半导体科技有限公司，未经西安后羿半导体科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610852023.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
