[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：形成基底，包括衬底、位于衬底上分立的鳍部、横跨鳍部且覆盖鳍部部分顶部表面和侧壁表面的栅极、以及位于栅极侧壁上的侧墙，栅极和侧墙构成栅极结构，基底中还形成有位于栅极结构之间基底上的第一介质层；在第一介质层中形成露出栅极结构的凹槽；在凹槽底部和侧壁上形成保护层；形成覆盖保护层和第一介质层的第二介质层；形成贯穿第一介质层和第二介质层的接触孔；在接触孔中形成接触孔插塞。本发明在第一介质层中形成露出栅极结构的凹槽后，在凹槽底部和侧壁上形成保护层；位于侧墙顶部的保护层对侧墙起到保护作用，弥补形成接触孔的刻蚀工艺对侧墙侧壁刻蚀速率较大的问题，避免接触孔插塞与栅极发生短路。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：形成基底，所述基底包括衬底、位于衬底上分立的鳍部、横跨所述鳍部且覆盖鳍部部分顶部表面和侧壁表面的栅极、以及位于所述栅极侧壁上的侧墙，所述栅极和所述侧墙构成栅极结构，所述基底中还形成有位于所述栅极结构之间基底上的第一介质层；在所述第一介质层中形成露出所述栅极结构的凹槽；在所述凹槽的底部和侧壁上形成保护层；形成覆盖所述保护层和第一介质层的第二介质层；刻蚀所述第一介质层和第二介质层，形成贯穿所述第一介质层和第二介质层并暴露出部分所述鳍部的接触孔；在所述接触孔中形成接触孔插塞。