[发明专利]半导体结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201610804266.0 | 申请日： | 2016-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN106505056A | 公开（公告）日： | 2017-03-15 |
| 发明（设计）人： | 周正三;林志旻;杨辰雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/528;H01L21/768;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 半导体结构包括第一衬底、第二衬底、位于第一衬底上方并且位于第一衬底和第二衬底之间的第一感测结构、穿过第二衬底延伸的通孔以及位于第二衬底上方的第二感测结构，并且该第二感测结构包括与通孔电连接的互连结构以及至少部分地覆盖互连结构的感测材料。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：第一衬底；第二衬底；第一感测结构，位于所述第一衬底上方，并且位于所述第一衬底和所述第二衬底之间；通孔，延伸穿过所述第二衬底；以及第二感测结构，位于所述第二衬底上方，并且所述第二感测结构包括与所述通孔电连接的互连结构以及至少部分地覆盖所述互连结构的感测材料。
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