[发明专利]具有深槽和T‑POLY结构的沟槽型MOS肖特基整流器及制造方法

摘要

本发明涉及一种具有深槽和T‑POLY结构的沟槽型MOS肖特基整流器及制造方法，包括外延层，外延层上沿横向间隔刻蚀形成若干个纵向的沟槽，所述沟槽自外延层的上表面向下延伸，所述外延层的厚度为D，其中D大于0，所述沟槽的深度为；每个沟槽的底部以及两内侧壁均设有绝缘介质，位于两内侧壁的绝缘介质呈台阶状；每个沟槽内淀积有多晶，多晶呈T型结构，多晶由横向肩部和纵向延伸部组成，横向肩部的上表面与外延层的上表面平齐，下表面延伸至纵向延伸部的上表面；横向肩部的厚度为沟槽深度的三分之一至二分之一。本发明在高反向偏置下，增加了的电势纵向降落空间，改善了沟槽底部拐角附近和氧化物内部的电场分布以及减小势垒金属附近电场强度。

主权项

一种具有深槽和T‑POLY结构的沟槽型MOS肖特基整流器，包括外延层，所述外延层上沿横向间隔刻蚀形成若干个纵向的沟槽，其特征在于，所述沟槽自外延层的上表面向下延伸，所述外延层的厚度为D，其中D大于0，所述沟槽的深度为；每个沟槽的底部以及两内侧壁均设有绝缘介质，位于两内侧壁的绝缘介质呈上窄下宽的台阶状；每个沟槽内淀积有多晶，所述多晶呈T型结构且与所述绝缘介质紧密贴合，所述多晶由上下设置于沟槽内的横向肩部和纵向延伸部组成，所述横向肩部的上表面与外延层的上表面平齐，下表面延伸至纵向延伸部的上表面；所述横向肩部的厚度为沟槽深度的三分之一至二分之一；所述纵向延伸部的上表面位于横向肩部的下表面，所述纵向延伸部的下表面延伸至位于底部的绝缘介质处。