[发明专利]垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610798250.3 | 申请日： | 2016-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN107785427A | 公开（公告）日： | 2018-03-09 |
| 发明（设计）人： | 张新;李巍;王荣华 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 张海英,林波 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法。该方法包括提供第一导电类型的衬底；在衬底的上方形成第一导电类型的外延层；在外延层的上方形成分裂栅结构，第一分裂栅区和第二分裂栅区均包括第一绝缘层和设置在第一绝缘层上方的多晶体硅层；在外延层的上部表面形成第二导电类型的第一掺杂区和第二掺杂区；在外延层的上方形成第二绝缘层，第二绝缘层覆盖第一分裂栅区和第二分裂栅区；去除第一掺杂区和第二掺杂区上方的第二绝缘层，以露出第一掺杂区和所述第二掺杂区。本发明实施例提供了一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件的制备方法及结构，减小了器件的反向电容和开关时间，并且提高了器件的耐压特性。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 金属 氧化物 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直双扩散金属氧化物半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供第一导电类型的衬底；在所述衬底的上方形成第一导电类型的外延层；在所述外延层的上方形成分裂栅结构，所述分裂栅结构包括第一分裂栅区和第二分裂栅区，所述第一分裂栅区和所述第二分裂栅区之间形成中间开口结构，所述第一分裂栅区和所述第二分裂栅区的外侧形成外侧开口结构，所述第一分裂栅区和所述第二分裂栅区均包括第一绝缘层和设置在所述第一绝缘层上方的多晶体硅层；以所述第一分裂栅区和所述第二分裂栅区为掩膜，在所述外延层的上部形成第二导电类型的第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区位于所述中间开口结构的下方，所述第二掺杂区位于所述外侧开口结构的下方；在所述外延层的上方形成第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一分裂栅区和所述第二分裂栅区；去除所述第一掺杂区和所述第二掺杂区上方的第二绝缘层，以露出所述第一掺杂区和所述第二掺杂区；在所述第一掺杂区、所述第二掺杂区上方和剩余的所述第二绝缘层的表面形成源区金属层，以及在与所述衬底的下方形成漏区金属层。
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