[发明专利]半导体结构的制造方法

摘要

一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底以及位于衬底上分立的鳍部；鳍部延伸方向为第一方向，垂直于第一方向的为第二方向；在鳍部之间衬底上形成初始隔离层，包括用于实现第一方向鳍部隔离的第一初始隔离层；去除部分厚度第一初始隔离层形成第一隔离层，使第一隔离层顶部低于鳍部顶部，在鳍部之间形成沟槽；形成填充满沟槽的第二隔离层；在高于鳍部顶部的第二隔离层侧壁上形成保护侧壁；去除部分厚度第二初始隔离层和第二隔离层。本发明在高于鳍部顶部的第二隔离层侧壁上形成保护侧壁，去除部分厚度第二隔离层时，保护侧壁对第二隔离层侧壁起到保护作用，避免第二隔离层顶部因横向刻蚀不足而形成凸起缺陷的问题。

主权项

一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括衬底以及位于衬底上多个分立的鳍部；所述鳍部延伸方向为第一方向，垂直于第一方向的为第二方向，所述多个分立的鳍部在第一方向和第二方向呈矩阵排列；在所述鳍部之间的衬底上形成初始隔离层，包括用于实现第一方向鳍部之间隔离的第一初始隔离层，以及用于实现第二方向鳍部之间隔离的第二初始隔离层；去除部分厚度的第一初始隔离层形成第一隔离层，使所述第一隔离层顶部低于相邻鳍部顶部，在所述鳍部之间形成沟槽；在所述第一隔离层上形成填充满所述沟槽的第二隔离层；在高于所述鳍部顶部的第二隔离层侧壁上形成保护侧壁；形成所述保护侧壁后，去除部分厚度的第二初始隔离层以及部分厚度的第二隔离层，剩余的第二隔离层和第一隔离层构成隔离结构；在所述隔离结构上形成掩膜栅结构。