[发明专利]制造半导体装置的方法

摘要

本发明揭露一种制造半导体装置的方法。包括：形成第一光阻图案及第二光阻图案于基板上方。第一光阻图案与第二光阻图案分隔一间隙。化学混合物被涂布在第一光阻图案及第二光阻图案上。化学混合物包含化学材料及混合至化学材料内的表面活性剂粒子。化学混合物填充间隙。对第一光阻图案及第二光阻图案执行烘烤制程，此烘烤制程造成间隙收缩。至少一些表面活性剂粒子配置在间隙的侧壁边界处。对第一光阻图案及第二光阻图案执行显影制程。显影制程移除间隙中及光阻图案上方的化学混合物。配置在间隙的侧壁边界处的表面活性剂粒子减少显影制程期间的毛细效应。

主权项

1.一种制造半导体装置的方法，其特征在于，该方法包括：/n在一基板上方形成一第一光阻图案及一第二光阻图案，该第一光阻图案通过一沟槽与该第二光阻图案分隔，该沟槽具有至少8:1的深宽比；/n涂布一化学混合物于该第一光阻图案及该第二光阻图案上，该化学混合物包含一化学材料及混合在该化学材料内的表面活性剂粒子，其中该化学混合物充填该沟槽；/n之后，在该第一光阻图案及该第二光阻图案上执行一烘烤制程，该烘烤制程使得该沟槽收缩，其中至少一些表面活性剂粒子配置在该沟槽的侧壁边界上；以及/n之后，在该第一光阻图案及该第二光阻图案上执行一显影制程，其中该显影制程移除位于该沟槽中及该第一光阻图案及该第二光阻图案上方的该化学混合物，其中配置在该沟槽的该侧壁边界处的所述表面活性剂粒子在该显影制程期间减少一毛细效应。/n