[发明专利]一种在金属氮化镓复合衬底上制备发光二极管的方法有效
| 申请号： | 201610631817.8 | 申请日： | 2016-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN106229389B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 贾传宇 | 申请（专利权）人： | 东莞市中镓半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 罗晓林 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市企*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种在金属氮化镓复合衬底上制备发光二极管的方法，包括以下步骤，首先在N2气氛，820‑850℃，反应室压力300torr下,在金属GaN复合衬底上外延厚度为200纳米的低温n型GaN应力释放层，然后在N2气氛、750‑850℃下，生长多周期的InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源区；接着在H2气氛、850‑95℃下，生长p型Aly1Inx1Ga1‑y1‑x1N电子阻挡层，然后在H2气氛、950‑1050℃下，生长高温p型GaN层；接着再在H2气氛、650‑750℃下生长p型InGaN接触层，退火处理制备得到高亮度金属氮化镓复合衬底发光二极管。本发明提高了金属氮化镓复合衬底发光二极管发光效率。 1 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 发光二极管 金属氮化 复合 制备 生长 多量子阱有源区 电子阻挡层 反应室压力 应力释放层 发光效率 退火处理 多周期 接触层 金属 | ||
【主权项】：
1.一种在金属氮化镓复合衬底上制备发光二极管的方法，包括以下步骤：步骤1，将金属氮化镓复合衬底（101）放入MOCVD反应室中，在N2气氛、MOCVD反应室压力为300torr下，将MOCVD反应室升温至820‑850℃，然后在820‑850℃的温度范围内退火处理55～65s，接着以MOCVD反应室压力300torr、V/III摩尔比为500‑1300，采用0.2微米/小时‑1微米/小时的生长速率，生长厚度为200nm的低温n型GaN应力释放层（102）；步骤2，在N2气氛、750‑850℃下，以V/III摩尔比为5000‑10000，MOCVD反应室压力为300torr,生长3‑10个周期的InxGa1‑xN/GaN多量子阱有源区（103）,其中，0
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