[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201610628679.8 | 申请日： | 2011-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN106098667B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 胁山悟 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L23/544;H01L25/065;H01L21/56;H01L21/98 |
| 代理公司： | 11290 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 曹正建;陈桂香 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件。所述半导体器件包括：半导体元件；位于所述半导体元件上的钝化层；位于所述半导体元件上的焊盘电极，其通过所述钝化层中的开口暴露；位于所述焊盘电极和所述钝化层上的阻挡层；位于所述焊盘电极上的连接电极；以及从所述半导体元件延伸的对准标记，其中，所述钝化层的一部分位于所述对准标记与所述半导体元件之间，且所述阻挡层的一部分位于所述对准标记与所述钝化层之间。根据本发明，能够提供能够容易辨认出对准标记并能够容易精确地对准位置的半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括：/n第一电子部件，其包括：/n半导体元件；/n位于所述半导体元件上的钝化层；/n位于所述半导体元件上且通过所述钝化层中的开口暴露的焊盘电极；/n位于所述焊盘电极和所述钝化层上的阻挡层；/n位于所述焊盘电极上的连接电极；/n从所述半导体元件延伸的对准标记；以及/n覆盖所述连接电极和所述对准标记的底部填充树脂，/n其中，所述钝化层的一部分位于所述对准标记与所述半导体元件之间，/n所述阻挡层的一部分位于所述对准标记与所述钝化层之间，/n所述对准标记从所述半导体元件的表面开始的高度大于所述连接电极从所述半导体元件的所述表面开始的高度，且/n其中，所述第一电子部件的所述连接电极与所述对准标记的高度差等于或小于安装有所述第一电子部件的第二电子部件的连接电极的高度。/n
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