[发明专利]半导体衬底的承载台、离子注入设备及工艺在审
| 申请号： | 201610608476.2 | 申请日： | 2016-07-29 |
| 公开（公告）号： | CN105977124A | 公开（公告）日： | 2016-09-28 |
| 发明（设计）人： | 邱裕明;肖天金 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;H01J37/20;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体设备的承载台、离子注入设备及离子注入工艺，用微波方式对半导体衬底进行加热，以改善半导体衬底在高温离子注入工艺中的翘曲问题，提高高温离子注入工艺的均匀性。所述微波波长范围为47‑57纳米。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 承载 离子 注入 设备 工艺 | ||
【主权项】：
一种半导体衬底的承载台，所述承载台用于支撑所述半导体衬底进行离子注入工艺，其特征在于，所述承载台的边缘设置有若干微波发射头，所述微波发射头用于发射微波以对半导体衬底进行加热。
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