[发明专利]一种具有电流阻挡层的LED外延片及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610606486.2 申请日: 2016-07-29
公开(公告)号: CN106057992B 公开(公告)日: 2018-07-03
发明(设计)人: 王汉清 申请(专利权)人: 江苏派诺光电科技股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/46
代理公司: 北京集智东方知识产权代理有限公司 11578 代理人: 张红;程立民
地址: 226600 江苏省南通市*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种具有电流阻挡层的LED外延片,其包括:衬底;在所述衬底上外延生长在所述衬底上的GaN外延层,利用干法刻蚀蚀刻出的第一电极放置区域,所述放置区域呈阶梯状;形成在所述GaN外延层的未被刻蚀区域上的电流阻挡层;所述电流阻挡层中均匀间隔、中心对称辐射状分布的ITO材质的多个导电环,所述多个导电柱的顶面与所述电流阻挡层的顶面齐平;沉积在所述电流阻挡层上的ITO电流拓展层。本发明利用同心导电环进行电流传输,防止电流在电极的中部的过度集中。
搜索关键词: 电流阻挡层 衬底 放置区域 蚀刻 辐射状分布 同心导电环 第一电极 电流传输 顶面齐平 干法刻蚀 均匀间隔 刻蚀区域 外延生长 中心对称 电极 导电环 导电柱 阶梯状 拓展层 顶面 沉积 制造
【主权项】:
1.一种具有电流阻挡层的LED外延片的制造方法,具体包括如下步骤:(1)提供一衬底,在所述衬底上生长GaN外延层,然后利用干法刻蚀蚀刻出第一电极放置区域,所述放置区域呈阶梯状;(2)在所述GaN外延层的未刻蚀区域形成一光刻胶层;(3)刻蚀所述光刻胶层,形成一系列的多个空心柱,在多个空心柱内填充ITO以形成多个导电柱,所述多个导电柱呈中心辐射状,且中心对称,其中心与所述GaN外延层的未刻蚀区域的中心重合,并且相邻的两个所述多个导电柱的间隔相等,但所述多个导电柱的直径由内而外逐渐增大;(4)去除所述光刻胶层;在所述多个导电柱的周围沉积SiO2和TiO2的叠层以形成电流阻挡层,抛光顶面使得所述导电柱的顶面与所述电流阻挡层的顶面齐平;(5)在所述电流阻挡层上沉积一层ITO电流拓展层;减薄所述衬底,并在背面形成一层布拉格反射膜,以增强反射;到此完成LED外延片的制作。
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