[发明专利]基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法有效
申请号: | 201610597359.0 | 申请日: | 2016-07-26 |
公开(公告)号: | CN106409670B | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 牟田行志;守屋刚;森拓也;竹下和宏;江崎智规;水永耕市;田中雅山;金川耕三;中野圭悟 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/302 | 分类号: | H01L21/302;H01L21/67 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理装置、基板处理方法以及基板处理装置的维护方法。在对晶圆进行加热处理时分解由于晶圆的处理而产生的升华物,从而抑制升华物附着于排气路径的情况。另外,在利用来自光源部的光对晶圆W进行加热等处理时将附着到透光窗的升华物去除。在处理容器的内表面形成热催化剂层,对该热催化剂层进行了加热。因此,在自晶圆上的涂敷膜升华而引入到处理容器内的升华物到达了热催化剂层的附近时,利用热催化剂层的热活性化从而升华物被分解去除。另外,在将附着到透光窗的升华物去除时,将在表面形成有热催化剂层的清洁用基板输入处理容器内,在将热催化剂层靠近了透光窗后,加热清洁用基板,从而将附着到透光窗的表面的升华物去除。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 以及 维护 | ||
【主权项】:
一种基板处理装置,其特征在于,该基板处理装置包括:处理容器,在其内部设置有用于载置被处理基板的载置部;排气路径,其用于对所述处理容器内的气氛气体进行排气;热催化剂物质,其设置于所述处理容器的内表面以及所述排气路径中的至少一者,对其加热而使其热活性化,用来分解由于被处理基板的处理而从该被处理基板产生的生成物;热催化剂用的加热部,其用于对所述热催化剂物质进行加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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