[发明专利]一种埋容埋阻结构的制作方法及MEMS麦克风有效
| 申请号： | 201610564698.9 | 申请日： | 2016-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN106101968B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 王凯;陈虎 | 申请（专利权）人： | 瑞声科技（新加坡）有限公司 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H04R31/00 |
| 代理公司： | 长沙市阿凡提知识产权代理有限公司 43216 | 代理人： | 谷萍 |
| 地址： | 新加坡宏茂桥*** | 国省代码： | 新加坡;SG |
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| 摘要： | 本发明提供了一种埋容埋阻结构，其可用于线路板中，所述埋容埋阻结构从上到下依次包括堆叠设置的第二金属层、介电层、第一金属层以及电阻层。本发明还提供了埋容埋阻结构的制作方法及应用该埋容埋阻结构的MEMS麦克风。本发明提供的埋容埋阻结构的厚度变薄，成本较低，并且更有利于产品的微型化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 埋容埋阻 结构 制作方法 mems 麦克风 | ||
【主权项】：
1.一种埋容埋阻结构的制作方法，其特征在于，该方法包括如下步骤：S1：提供一第一金属层和介电材料，将所述介电材料通过丝印工艺丝印至所述第一金属层的上表面；S2：提供一第二金属层，通过层压工艺将第二金属层设置在介电材料的远离第一金属层的表面；S3：将上述第一金属层、介电材料以及第二金属层放入高温炉中烘烤固化，以使得介电材料形成介电层，得到埋容层；S4：将埋容层置于镍磷镀液中，加热，所述埋容层的上下表面将分别形成第一镍磷层和第二镍磷层；S5：清洗，并烘干；S6：在第二镍磷层远离所述埋容层的表面贴设掩膜；S7：放入蚀刻液中，将第一镍磷层溶解；S8：清洗并去除掩膜，烘干，则第二镍磷层形成电阻层，得到埋容埋阻结构。
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